光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器芯片研制和性能的研究.pdf

摘要 摘要 本论文“光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器(OPS．ⅦCSSEL)芯片研 制与性能研究’’从多个方面对OPS-VECSEL外延增益片的生长与性质进行了研 究和讨论，主要内容有：半导体量子阱(QW)的能带理论、Ⅲ一V族半导体化 影响以及1064nm光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器等共五个主要部分。 论文研究取得的成果及结论如下： l、从半导体量子阱的能带理论中几个近似出发，叙述了利用豇p微扰法对 能带结构进行计算的过程和结果，讨论分析应变对量子阱能带结构影响。从理 论上分别阐述了InxGal．菇As／Gam应变量子阱中的量子尺寸效应、应变效应及量 ‘ 子化能级。 2、建立了Ⅲ一V族三元化合物半导体材料的MBE生长热力学模型。将晶格 应变能、吸附和脱附对温度敏感同时纳入热力学模型之中，经简化与实验数据 求解得到束流、生长温度和组分在生长过程中的相互关系。计算结果与实验材 好。进一步讨论和分析了四元化合物InGa．AsP／GaAs的热力学生长模型。 3、深入研究了In菇GaI．xAs／GaAs量子阱生长结构及其光学性质。通过生长 温度的优化、亚单层交替生长的引入、应变补偿方式的改变和退火优化提高了 ℃；(2)通过亚单层交替生长的引入提高了量子阱中h组分的均匀与可控性； 小，补偿效果最好；(4)采用750℃，30S快速热退火可以有效消除InGaAs量 子阱层和InGaAs／GaAs界面处的非辐射复合中心，提高了量子阱PL谱发光强度； 原位退火更好的消除表面缺陷，提高了PL谱发光峰强。 4、研究了应变随温度变化对垴Gal．xAs／GaAs量子阱带隙能量的影响。利 K温 度范围内的发光特性。在Varshni公式的基础上，引入由应力导致的带隙能量变 I 摘要 化项缇，带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半 峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。 5、制备了高质量的1064nm波长OPS-VECSEL芯片材料。通过优化工艺 和精确控制，分布布喇格反射镜(DBR)中心波长反射率达到99．5％以上，实现 应变量子阱激射波长、谐振腔的谐振波长与反射镜反射谱的中心波长三波长对 准，实现了芯片材料的受激发光。在国内首次实现了1064nm波长OPS．VECSEL 芯片材料的生长。 关键词：半导体多量子阱分子束外延光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器 应变补偿 Abstract Abstract 111is dissertationisfocusedonthe semiconductorvertical opticallypumped externalsurface wells cavity emittinglaser(OPS-VECSEL)andmultiplequantum molecular-beam their by characteristics． (QWs)InGaAs／GaAs cpitaxy(MBE)and There a∞fivemain havebeenstudied：semiconductorband of parts energytheory ofthe of III·Vsemiconductormaterials QWs，thermo