脉冲阴极弧放电制备PI基低辐射薄膜及其性能与研究.pdf

摘要 脉冲阴极弧放电制备PI基低辐射薄膜及其性能研究 摘要 低辐射薄膜对可见光具有高透过性，对红外光具有高反射性，可以有效阻挡 热辐射，因此成为有效节约能源的手段之一。低辐射薄膜由于其优异的性能，被 广泛应用于大型建筑玻璃、汽车挡风玻璃、太阳能集热器以及医疗器械等方面。 目前，低辐射薄膜多是以玻璃为基底，限制了其应用范围。所以，人们对低辐射 薄膜的研究逐渐转移到柔性基底低辐射薄膜上。 系。其中满足条件的金属层材料有Au、Ag、cu、Al，由于Au的成本较高，通 常不被考虑。其它几种相比而言，由于Ag金属具有最高的红外反射系数，同时 对可见光吸收低，通常被选作金属层材料；D瓜叻结构的介质层常选金属氧化 物，介质层在起到保护与粘结作用的同时，另一个主要作用是增加可见光透过率。 由于透过率大小和折射率的差成正比，所以介质膜的折射率n越高，整个膜系的 透射率也越高。Ti02的折射率在2．4～2．5之间，是已知的折射率最高的金属氧化 物，而且它对可见光几乎不吸收，所以本研究中选它作为介质层材料。低辐射薄 膜的制备采用脉冲阴极弧放电方法，其主要优点是镀膜过程中基底温度低，而且 可以通过控制脉冲宽度与脉冲速度，实现精确控制薄膜厚度。本实验在实验室自 制装置的基础上，对阳极进行了重新设计与改进。使其具有可以方便取放样品的 基底固定器，并且能够灵活的改变阴极靶材和基底距离。同时，在靶材与基底之 间的石英玻璃筒上缠绕线圈，使得脉冲阴极弧放电时的弧光在磁场的作用下，沿 着直线方向到达基底，这种改进很大程度上提高了沉积效率。通过放电过程中采 集伏安特性曲线，分析了弧光放电的特性，分析结果符合脉冲阴极弧放电的模型。 在薄膜的制备过程中，通过控制放电参数，来观察实验条件对制备薄膜的影 响。随着放电电压的升高，弧光溅射出的粒子增大，适当增大放电电压，沉积薄 膜表面会变得致密均匀；放电电压过高，粒子颗粒过大，容易造成薄膜不再均匀， 甚至有脱层现象。同时气压和靶基距对薄膜质量及厚度也会有影响，气压过低， 撞击靶材离子减少，溅射率下降，沉积在基底上的粒子减少，导致薄膜厚度减小； 靶基距增大，溅射粒子碰撞次数增多，能量减少，在基底上的注入效应减小，也 会导致薄膜厚度减小，而且容易脱落。 本课题研究了PI基底、P姒g膜、PI／Ti02膜以及低辐射复合膜的光学性能， PI基底对光学性能影响不大，可以忽略其影响；制备的单层Ag膜由于被氧化， 其测试结果并没有体现出红外光区低透过率的特性；单层TiO：膜透过性较好， 摘要 有一定的增透作用。在制备复合膜时，通过添加阻挡层Ti层，可以达到保护Ag 层的作用。并且随着Ti层厚度的增加，在可见光和红外光区域的透过率均下降。 经实验测试，厚度为11蛐左右的Ti膜可以很好的保护Ag层不被氧化，而且在 可见光区的透过率最高可以达到70％。 分析测试薄膜表面形貌时发现薄膜表面有褶皱和断裂现象，通过分析得出该 现象是由于薄膜应力释放造成的，并介绍了薄膜应力与薄膜缺陷之间的关系。薄 膜应力还与柔性基底有关，二者之间存在剪切力作用，薄膜变形时基底发生变形。 经理论计算获得薄膜褶皱现象产生的临界应力是5．8GPa，薄膜褶皱的波长是 1．3岫，很好的解释了实验中的褶皱现象。薄膜应力是薄膜的固有缺陷，应力释 放会产生形变导致薄膜缺陷，所以该研究对薄膜质量的控制具有重要意义。 关键词：低辐射薄膜：柔性基底：脉冲阴极弧放电：光学性能：薄膜 应力 摘要 FILMPRER眦D D丁VESTIGATl0N0FPI—BASELOⅥ厂-E BYPULSECATHODEARCDISCHARGE ABSTRACT Asanef奄ctive of 6lmscan thernlal productenergyconservation，Low—EpreVent radiation becausehaVe t眦smittallceand infrared fi