MOCVD异质外延硅基ZnO和SiC薄膜与特性及研究.pdfVIP

摘要 SiC是一种宽禁带半导体材料，其具有优秀的电学、化学和导热性能，因此 SiC器件经常被应用于高温、高电场、高辐射这些应用领域。单晶SiC薄膜生长 一直是研究的重点。同质外延单晶SiC薄膜较为容易实现，但是SiC很昂贵。Si 衬底具有十分优秀的性能而且比较廉价，但是异质外延SiC／Si比较困难，主要 由于晶格失配和热膨胀失配等因素造成的。本论文就SiC／Si薄膜的制备展开了 研究。 ZnO是一种II·Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料，其室温下的禁带宽度为 3．36eV,由于其具有紫外发光的特性，近来受到研究者的广泛关注。ZnO在高效率 光散发设备和其它光学方面有应用前景，所以要进行高质量的ZnO薄膜制备的研 究。由于晶格失配，ZnO／Si的异质结质量不高，现在主要应用过渡层或表面处理 的方法进行改善。本论文围绕ZnO薄膜的MOCVD异质外延这个课题开展了研 究，通过ZnO薄膜生长条件的探索以及Si衬底上各种过渡层生长ZnO薄膜的研 究，最终利用3C—SiC作为过渡层，在Si(1“)衬底上实现了单晶ZnO薄膜的异质 外延。主要的研究工作及结果如下： 1．高质量单晶SiC薄膜的制各 延出了具有商质量的SiC薄膜。通过XRD和微区拉曼测量表明外延的SiC