单轴应变Si+nMOS反型层量子化特性和阈值电压的研究.pdf

III I III 1211011111 16798¨2一 掣111Y20 摘要 随着MOS器件发展到深亚微米阶段，单轴应变Si已已经成为应变硅技术的 主流被广泛应用。单轴应变硅技术主要通过在传统的MOSFET沟道中引入应力来 增加载流子的迁移率；对器件的性能提升明显，工艺上容易实现。因此，对单轴 应变Si的导带E例．k关系、反型层量子化特性及阈值电压等理论研究尤为重要。 作为研究反型层量子化特性以及阈值电压的理论基础，本文首先讨论了剪切 应力作用下布里渊区边界X点处△l和△2·能带之间的耦合作用及其对导带能谷极 小值的改变，给出了任意单轴应力作用下每个能谷的E例岳关系，根据该E例．k 关系，获得了平行、垂直于应力方向的有效质量