SiC薄膜低压化学气相外延生长的微结构特性.pdf

摘要 SiC作为目前最热门的半导体材料之一，因其具有宽禁带、高击穿电场、高 载流子饱和漂移速率和高热导率等许多优点，在微电子领域有着广泛的应用前 景。本论文主要研究了在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上外延生长SiC薄膜 的工艺技术和生长条件对SiC薄膜结晶质量的影响，取得了有意义的结果，其内 容有助于加深对SiC薄膜外延生长过程的理解。 第一章综述了SiC材料的基本性质以及SiC材料和器件的研究进展。包括 SiC的结构性质、物理化学性质、SiC块材单晶的发展历史和制备方法、SiC器 件工艺和典型的SiC器件。最后还介绍了制备SiC薄膜的主要方法，如升华法、 脉冲激光沉积、分子束外延和化学气相沉积等，指出化学气相沉积法是制备SiC 薄膜最成功的方法。 第二章介绍了我们设计和研制的国内第一台最高温度可达1600。C的低压 (H2)，根据复相反应模型建立了SiC薄膜生长的气相反应和表面反应的两步机制， 分析了SiC薄膜生长的物理化学过程。 第三章中我们研究了不同取向的单晶si衬底上外延SiC薄膜。对Si(111)衬 oC．1350 底，发现随着生长温度(1150 oc)的提高，外延层的结晶质量改善。由样