PLD方法制备ZnO、ZnMgO薄膜的ZnMgO%2fZnO量子阱结构.pdf

摘要 eV)，在室温下有很高的激 ZnO是直接宽禁带半导体材料(禁带宽度为3．37 meV)，外延生长温度低，抗辐射能力强，在短波发光二极管、半 子束缚能(60 导体激光器和紫外探测器等领域具有广阔的应用前景。通过改变ZnO中Mg的 eV之间变化，而且可以和ZnO形成较好的 变的前提下能够调节带隙在3．3～4．5 发光效率，调制器件的发光特性。 本文在总结了ZnO薄膜及其器件研究现状的基础上，利用脉冲激光沉积 阱结构。主要的研究工作如下： 向的ZnO薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜质量的影响，获得了生长ZnO 薄膜的最佳工艺参数。 2．采用PLD技术在Si(111)衬底上，用Zno9MgolO靶材，生长出了具有良好 薄膜的最佳生长条件。并探讨了Mg的掺入对ZnO薄膜能带展宽的影响。 温PL谱测试表明，阱宽为4眦的单量子阱结构，相对于单层ZnO薄膜而言， 发光峰蓝移了40meV，取得了良好的量子限制效应。