ZnO薄膜光电性质.pdf

摘要 ZnO作为第三代的宽禁带半导体材料，因其在室温下约3．37eV的禁带宽度 和高达60meV的激子结合能受到了广泛关注，被认为是有望取代GaN的新一代 短波长光电子材料。从1996年首次报导ZnO薄膜的室温紫外发射距今己有十年， 但ZnO基激光二极管、发光二极管等短波长光电器件仍未达到实用化的水平， 其中一个重要原因是高质量的P型ZnO薄膜的稳定、可重复制各工艺尚未实现， 此外ZnO薄膜的发光效率也有待进一步提高。 ZnO薄膜的异质外延也是非常重要的课题。采用异质外延并选取合适的基 片能在很大程度上节约成本，是ZnO薄膜器件产业化的基础。si就是这样一种 价格低廉且易于光电集成的基片，但由于Si平口ZnO失配严重，在Si上外延高结 晶质量的ZnO薄膜是～个仍待解决的问题。 ZnO薄膜具有光电转换特性，有望成为太阳能电池材料；此外结合其宽禁 带特征，也可作为紫外探测器件材料，在军事、民用方面有着广阔前景。 围绕上述背景，本论文以溅射工艺制备的ZnO薄膜为研究对象，从以下三 个方面开展了工作： 薄膜纳米复合结构。实验表明掺银的ZnO薄膜有转化为P型的趋势，并对ZnO 本身的紫外发光有极大的增强，是一种极有潜力的掺杂方案。 其次，系统研究了利用溅