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- 2015-10-17 发布于安徽
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摘要
摘要
随着信息技术(IT)的快速发展,电子系统向高集成度、高复杂度方向发展,
必然要求在更小的基片上集成更多的元器件。除了依靠高密度集成技术的发展外,
从器件本身出发,只有研制小型化、薄膜化的器件,以减小系统的整体体积、重
量,才能达到减小功率损耗、提高信号传输效率的要求。而作为磁性元器件中最
重要的变压器、电感器,在现代射频通信电路中被广泛使用,特别是能与硅器件
一起集成的薄膜变压器、电感器,在国际上备受重视。而国内长期以来,由于受
薄膜磁芯材料、绕组材料、基片材料,包括制作技术及最为关键的设计技术限制,
尚未研发出能够用于这一应用领域的薄膜变压器、电感器。因而,本文的研究工
作正是从这里入手,从理论及实验上探索薄膜化的磁性集成器件一一变压器与电
感器。
在薄膜变压器研制方面,首先实验上从磁芯材料、薄膜变压器结构、薄膜制
作工艺等方面出发,设计和制作了多层薄膜叠加的I型薄膜变压器阵列,采用英
国Voltech公司的变压器综合测试仪测试薄膜变压器的初次级电感、品质因子、
串联等效电阻、插入损耗、分布电容等性能参数。分析讨论了磁芯薄膜的膜厚、
磁芯薄膜的分层数、磁路的开路与闭路等因素对薄膜变压器性能的影响
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