ZnO薄膜常压MOCVD生长的掺杂.pdf

摘要 摘要 氧化锌(ZnO)是一种重要的化合物半导体光电材料，它具有良好的物理 特性：直接带隙能带结构、室温禁带宽度3．37eV、激子束缚能60meV，是制备 紫外发光二极管、特别是制各室温紫外半导体激光器的优选材料。可是性能良好 的P型ZnO材料的制备问题一直以来成为实现ZnO基发光器件突破的瓶颈。近 几年来，尽管国际上P型ZnO薄膜的制备取得了重要进展，但是可实用的ZnO 发光器件仍没有制各成功。特别是在用金属有机化学气相沉积(MOCⅦ)法生 长ZnO薄膜及其P型掺杂方面，还需要更多的研究，否则ZnO基发光器件将难 以产业化。在这样的背景下，本论文开展ZnO薄膜的MOCVD生长及其掺杂性 质研究。 本论文主要是采用自制常压MOCVD系统，以去离子水(H20)和二乙基 关内容研究。在课题研究过程中，本文主要获得了以下一些有意义和有创新性的 研究结果： l、首次提出了在外延层生长过程中引入少量腐蚀性气体来提高ZnO薄膜的晶体 质量。研究实验结果表明，在外延层生长过程中引入少量的H2和NH3都有利于 提高ZnO的晶体质量，但是引入H2将会影响ZnO薄膜的表面形貌和电学性能， 而引入少量的NH3后，ZnO薄膜的