《Cu_In_Ga_Se_2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用》.pdf

第 28 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 28 　No . 5 2007 年 5 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS May ,2007 Cu( In , Ga) Se2 太阳电池缓冲层 ZnS 薄膜性质及应用 1 , 1 2 刘 　琪 　冒国兵 　敖建平 ( 1 安徽工程科技学院机械工程系 , 芜湖 　24 1000) (2 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 , 天津 　30007 1) ( ) 摘要 : 在含有 Zn SO ,SC N H ,N H O H 的水溶液中采用 CBD 法沉积 Zn S 薄膜 ,XRF 和热处理前后的 XRD 测 4 2 2 4 ( ) (λ 试表明 ,Zn S 沉积薄膜为立方相结构 ,薄膜含有非晶态的 Zn O H 2 . 光学透射谱测试表明 ,制备的薄膜透过率 500n m) 约为 90 % , 薄膜的禁带宽度约为 35 1e V . Z nS 薄膜沉积时间对 Cu ( I n , Ga) Se2 太阳电池影响显著 , 当薄膜 沉积时间在 25～35min 时, 电池的综合性能最好. 对比了不同缓冲层的电池性能, 采用 CB DCdS 为缓冲层的电池 转换效率 、填充因子 、开路电压稍高于 CB DZnS 为缓冲层的无镉电池 ,但无镉电池的短路电流密度高于前者 , 两者 转换效率相差 2 %左右. ZnS 可以作为 CI GS 电池的缓冲层 , 替代 CdS , 实现电池的无镉化. 关键词 : 化学水浴沉积; ZnS 薄膜; CI GS 太阳电池 PACC : 7280 E ; 7340L ; 7360 F 中图分类号 : T K5 11+ 4 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2007) C d 污染 , 而且可增加吸收层短波响应. CB D 法制备 1 　前言 的 Z nS 与 CI GS 太阳电池窗 口层 Z n O 材料类似 , 有利于 pn 结的形成[ 7 ] . 目前 日本国家能源发展组 Cu ( I n , Ga ) Se2 ( 简称 CI GS) 薄膜太阳电池是 ( ) ( ) 织 N ED O 采用化学水浴法制备的 Z n O , S , O H 20 世纪 80 年代后