《发光二极管制程技术简介》.pdf

發光二極體製程技術簡介 葉文勇 工研院電光所 光電半導體及系統應用技術組 95. 3. 22 1 本資料內容為工研院電光所擁有, 未經許可請勿轉載引用 發光二極體 (LED)基本介紹 發光二極體 (LED)基本介紹 以半導體製程技術在磊晶 LED晶粒結構示意圖 不同封裝型式之LED 片上製作許多的LED晶粒 發光二極體基本發光原理 發光二極體相關應用 2 本資料內容為工研院電光所擁有, 未經許可請勿轉載引用 LED process flow LED process flow Substrate 單晶基板製作• : 晶棒生長、切片、研磨、拋光 上游 Substrate 磊晶生長• : LPE 、VPE 、MOVPE •P 、N電極製作 ： Substrate 金屬蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理 中游 晶粒製作• : 晶粒切割、崩裂 •封裝製作 ：晶粒黏著、打線、 樹脂封裝、剪腳 下游 •成品 ：Lamp、SMD、數字/字元 、點矩陣型、集束型、模組 3 Lamp 7-segment Dot Matrix 本資料內容為工研院電光所擁有, 未經許可請勿轉載引用 From wafer to chip How ? 資料來源： 4 本資料內容為工研院電光所擁有, 未經許可請勿轉載引用 1. GaN晶片活化處理 目的 活化: p-GaN,提昇載子濃度 原理 :將Mg-H鍵結打斷 把, H趕出 p-GaN layer,因為 H 會隱藏 Mg受體特性 方法:1.電子束照射 (LEEBI),Akasaki et al. 2.熱處理(in-situ,post),Nakamura et al. 3.Microwave(2.45GHz) 4.Laser…….. 5