fe(cu掺杂ⅳ族基稀磁半导体薄膜的结构及磁性研究.pdf

摘 要 在传统半导体工业中，si一直是最基础的研究材料。过渡族元素掺杂IV族基半导 体可以与现有的Si基微电子器件相集成，因此对于现代半导体工业的研究和集成，IV 数不多。此外，由于样品中可能存在的第二相的干扰，使得样品铁磁性的来源仍是争论 的话题。鉴于此，本文选取了过渡族元素Fe和Cu，利用非平衡的生长方法对IV族基 半导体进行掺杂。为了准确的评价样品的铁磁性，我们采用更精准的测试手段对样品的 微结构进行了表征。 K 构(XAFS)表明低注入剂量(2．0×1016cm之)样品中大多数的Fe离子处于替代位，而高剂量 (5．0x1016与2．0x1017cm‘2)注入样品中有反铁磁FeSi2化合物形成。磁性测试表明所有 共注入样品具有室温铁磁性。FeSi2相的形成导致饱和磁化强度(蚴随着注入剂量的增加 而减小。由于自退火效应的加强促使更多的FeSi2化合物形成，从而导致高基底温度下 制备的样品的室温铁磁性弱于室温下制备的样品。样品的铁磁性来源于处于母体替代位 的Fe离子。 究还发现，Fe在纯Ge薄膜中的固溶度最高，固溶度随着Si含量的增加而降低，并且退 火可提高Fe在富Ge的Sil∞氐薄膜中的固溶度。比较Fe离子注入Sia吖Gex薄膜(萨1、 0．848、O．591)的制备态样品与退火样品，可发现室温下纯Ge系列的样品铁磁性最强， 随着Ge含量的减少，铁磁性减弱。此外，退火可增加处于替代位的Fe离子的数量，从 用，铁磁性是由电子载流子传递的，属于样品的本征铁磁性。 加入有助于母体与Si衬底晶格匹配度的提高，有利于Fe离子在该母体中处于替代位， 来源于在母体中替代Ge位的Fe离子，铁磁性由电子载流子传递，属于样品的本征铁磁 性。 共注入样品。结构分析表明所有样品均无第二相。当Cu离子注入到n型Si基底后转变 下均显示为抗磁性。而Cu、N共注入样品均具有室温铁磁性，因为N离子的引入使载 的室温铁磁性来源于电子载流子传递的Cu2+之间的交换相互作用。 关键词：稀磁半导体离子注入微观结构室温铁磁性 IV Abstract inthetraditionalsemiconductor themostbasicresearchmaterial Sihasbeen industry． Canbe with Si-based Transition semiconductors existing group-IV integrated metal．doped and diluted microelectronicSi Ge-based devices，SO magnetic extensivevalueforthemodemsemiconductorrecent industry．Inyears，Mn—dopedgroup onothertransition IV．basedDMSshavebeen research studied，but extensively as been less．In ofthe is