ho掺杂对铁材料bifeo3的结构、介电、铁磁及光学特性的影响.pdfVIP

摘要 I糕嬲 品并研究稀土元素Ho掺杂对铁磁电材料BiFe03陶瓷的晶体结构、漏导电流、介电、磁 性及磁电耦合等方面的影响，另一方面采用溶胶一凝胶法制备BiFe03薄膜材料，研究Ho 掺杂对薄膜结构、形貌及透射率等的影响。除此之外，我们还探讨了退火时间和温度对 BiFe03薄膜表面形貌的影响。用DX．2000的X射线衍射仪(X．ray 对样品进行晶相结构分析，利用铁电仪测试了陶瓷的漏电性质，采用型号为HP4294A 的阻抗分析仪测试了样品的介电常数并进一步在加磁场的情况下计算了磁介电系数，用 振动样品磁强计对样品的磁学性质进行了测试，并用型号为UV-3600的紫外．可见．红外 分光光度计对薄膜样品的透射光谱进行了测试，利用型号为Zeiss Super40的场发射扫描 电镜测试了薄膜表面形貌。 的磁滞回线随着掺杂量的增大而逐渐趋向饱和，其剩余磁化强度(Mr)从0．0024 emu／g(BFO)增加到0．1167 对薄膜的测试结果表明薄膜均结晶良好，随着掺杂量的增加特征峰逐渐变宽，SEM表 明薄膜颗粒均匀并随掺杂量增加颗粒减小；通过对比不同退火时间和温度对薄膜结晶的 影响，发现5500空气中退火两小时的样品结晶最佳。 关键词： 铁磁电材料，介电常数，磁滞回线，磁介电系数，表面形貌 II ABSTRACT Inthis were solid Bil—xHoxFe03(x=0，0．05，0．I，0．15，0．2)ceramicspreparedby paper,Multiferroic constants、 researchtheinfluenceofrio onthe current，dielectric statereactionto doping structure，leakage and of ceramics．Atthesame Bil．xHoxFe03 magnetismmagnetoelectriccoupling influenceofdifferentHocontents filmswere methordto the 0．05，0．1)thin preparedbySol-gel investigate andtransmission have theinfluenceof onstructure、surface spectra．inaddition，wecompared morphology surface of thinflim．The different timeand on BiFe03 crystalline annealing temperature morphology ofall werecharacterized leakage structures byusingX-ray samples weremeasured ferroelectfic c