si83g17si基底上hfo2薄膜的介电性能与纳米磁性.pdfVIP

摘要 凝聚态物理专业硕士研究生：涂雅婷 指导教师：邱晓燕副教授 摘 要 随着巨大规模集成电路(GSI)的问世，其基本组成单元补偿性金属．氧化物一半 为了保持足够大的驱动电流和高的栅极电容，传统Si02／SiOxNv栅介质层厚度也 随之减薄。但当其厚度减小至l姗时，量子隧穿效应导致的栅极漏电流剧增， 驱动电流骤减，硼(磷)杂质隧穿导致的器件可靠性下降等一系列问题使得 电学性能以及在硅半导体衬底上良好的热力学稳定性，最有望替代Si02／sioxNv 成为下一代CMOS．FETs的栅介质候选材料。另一方面，由于硅中空穴迁移率远 低于电子迁移率，传统的硅半导体衬底也逐渐不能满足集成电路(IC)更高集成度的 要求，寻找新型的半导体衬底也是大势所趋。考虑到与现有成熟硅基半导体工艺 类si／siGe异质结堆栈结构为主。其中，在Si中掺杂一定原子比的Ge形成的 Sil．xGex体系由于晶格常数失配产生的应力，可同时提高电子和空穴的沟道迁移 人们的关注。 质薄膜。利用X射线衍射对薄膜进行物相分析，测试分析结果表明沉积H∞2薄膜 数字万用表测试了薄膜后退火处理前后的电学性能，并与相同条件沉积在无应变 p．Si衬底上Hf02薄膜的电学性能进行对比研究。对比研究结果表明：薄膜介电常 数的频率依赖性较小，1MHz时薄膜介电常数’(约为~23．8。在相同的优化制备条件 薄膜样品：薄膜累积态电容增加；平带电压‰减小至．0．06V；电容．电压滞后回 线明显减小：．1V栅电压下漏电流密度J减小至2．51×10‘5A．锄-2。 利用可能产物的标准生成吉布斯自由能探讨了其界面反应动力学过程。利用原子 两南大学硕十学何论文 力显微镜，高分辨透射电镜以及X射线光电子能谱仪探测分析其界面微结构。实 验结果表明，由于si83Gel7应变缓冲层中Geox的存在，不仅使得沉积的Hfo心 获得氧原子补偿成为完全化学配比的Hf02，而且避免了溅射过程中Hfox2与Si 衬底的直接接触，抑制了界面反应的发生，最终减少界面层中非完全化学配比硅 显优于无应变层Si衬底上的薄膜样品。 此外，我们还研究了溅射功率，后退火氛围以及温度对Si83Gel7／Si衬底上Hf02 薄膜纳米磁性的影响，并探讨其纳米磁性的来源。利用振动样品磁强计(vSM)测 试不同制备条件和后退火处理后薄膜的磁化曲线；利用扫描电子显微镜(SEM)观 测其表面形貌，利用高分辨透射电镜(HRTEM)观测其界面微结构。利用X射线光 电子能谱(ⅫS)深度剖析技术对比研究了不同氛围后退火处理后薄膜和界面成分。 SEM观测结果表明，室温沉积的薄膜样品已结晶，膜面致密均匀，500℃退火后 膜面开始龟裂。HRTEM观测和xPS深度剖析表明：氧气氛围中退火薄膜成分为 完全化学配比的Hf02和Hfsiox混合物，而高真空退火薄膜成分为氧配比不足的 Hf0沁和HfsiOx的混合物；氧气氛围和高真空退火薄膜样品都生成了HfsiOx和 Hfsix混合界面层，但是高真空退火薄膜样品界面层中Hfsi。的比例高于氧气氛围 退火薄膜样品。磁性测量表明，薄膜磁化曲线类似于弱铁磁性饱和磁化曲线，居 里温度高达400K以上，具有磁矩各向异性，但却无磁滞回线。在优化制备条件下 emu／cI一最大饱和磁矩。当 (3pa心氛围中70w功率下室温沉积薄膜)，可获得1．8 退火温度低于800℃时，氧气氛围退火后薄膜样品饱和磁矩随着退火温度的上升 而下降，而高真空退火后薄膜样品的饱和磁矩缓慢增加：但是当退火温度到达 800℃时，饱和磁矩变化趋势发生反转：氧气氛围退火后薄膜饱和磁矩增加，而高 真空退火处理后薄膜饱和磁矩急剧下降。以上实验结果表明，后退火氛围中氧含 量的高低对薄膜饱和磁矩有着显著的影响，因此我们提出如下定性结论：Hf02薄 膜的纳米磁性主要来源于薄膜中的氧空位。 关键词Hf02薄膜，介电性能，纳米磁性，界面微结构，射频磁控溅射 Il AbStraCt Dielectric and of