氧原子对gn光电特性影响研究.pdfVIP

摘要 摘 要 GaN是优越的III—V族直接带隙半导体材料，是III-V族家族中最引人注目的 半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。 OaN基光电子器件的制备和工艺均得到了很大程度的发展，但是相关的物理机制 尚存争议。本论文即在重点讨论相关器件的物理问题，希望能够对GaN基光电器 件的研制和发展提供一定的指导意义。 第一章简要阐述了GaN的制备方法，晶体结构类型和性质。从结构入手说明 了GaN做为光电材料的优点：达3．5eV的宽禁带直接带隙的半导体。接着介绍了 GaN的不同发光类型和相应的特点。然后分析了不同的杂质对(；aN发光的影响。 特别指出了掺Mg的GaN作为P型半导体的发光性质和研究现状。最后分别介绍 了OaN基的两个重要异质结：ZnO／OaN和CrO：／(；aN。 第二章研究和讨论了ZnO／OaN的界面性质。经化学方法出去ZnO／GaN中的 ZnO后，比较生长ZnO日，JI后的(；}=lN的发光的变化，通过…系列的实验和1分析，我们 认为0在生长ZnO薄膜的过程中扩散进入了(；a、内，使得(涵＼的发光发生蓝移。 蓝移后的发光与报道的ZnO／GaN的发光一致，因此