氮化物半导低维结构的制备及光、电性质研究.pdfVIP

摘要 氮化物半导体低维结构的制备及光、电性质研究 凝聚态物理专业 研究生董成军 指导教师徐明 摘要：众所周知，半导体材料已经在信息技术的各个领域得到了广泛的应 用，以它们为基础研发的器件正逐步进入并改善着人们的生活。随着世界科学 研究的不断发展，以氮化物为代表的新型半导体材料开始在光电子和微电子器 件应用方面显示出巨大的优越性，在发光二极管、激光器等方面显示了广阔的 应用前景，引起了人们的广泛研究，除此之外，新型三元半导体材料近年来也 其具有独特的应用领域而成为研究的热点，但是，与Si／Ge等老一代半导体材 料的成熟研究和应用不同，新型半导体材料还处在研究的起步探索阶段，人们 对新材料的一些基本物理性质和参数还没有完全达成一致，因此对其物理性质 开展进一步研究非常必要。 本论文工作主要工作包括以下两个方面： 1、采用射频磁控溅射法，以A1N为缓冲层在300℃的低温下制备了～。Inl“ 和蓝宝石为衬底制得的Al。Inl．xN薄膜具有更好的晶体结构，其带隙小于2．41 eV、方块电阻为40Q／口左右，说明薄膜质量较好。这些结果有利于高效氮化物