氧化锌基薄晶体管的磁控溅射法制备及其性能研究.pdfVIP

摘 要 ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带II．Ⅵ族化合物半导体材料，室温下的 禁带宽度为3．37eV，其激子结合能高达60meV，可以实现室温下的高效激子 复合发光，是一种理想的短波长发光器件材料。目前，以ZnO基薄膜为有源沟 道层的薄膜晶体管，其迁移率比最常用的硅薄膜晶体管高一个数量级以上，而 且对可见光的透明度大于80％，是最有希望的下一代薄膜晶体管。 本实验采用射频磁控溅射法系统研究了不同制备参数对ZnO薄膜的影响， 衬底温度对镓掺杂氧化锌薄膜(GZO)的光电性能的影响，以及GZO薄膜作为 有源层的ZnO基薄膜晶体管特性等方面进行了研究，研究的主要内容包括以下 三个方面： (1)采用超高真空磁控溅射设备首先在不同衬底温度、溅射功率、氧氩比、 溅射气压条件下在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，并利用X射线衍射仪，扫描电 镜，原子力显微镜，紫外一可见分光光度计，荧光分光光度仪对样品进行了测量。 找出制备结构缺陷密度小，晶粒趋向性好的最佳生长工艺条件：衬底温度6500C， 溅射功率为120W，氧氩比为40：20，溅射气压为2．5Pa，在此条件下生长的 ZnO薄膜结晶质量高，c轴取向好，并且在可见光区具有较高透过率，可以制 备薄膜晶体管。