激光对闪锌氮化物量子阱中类氢杂质的影响.pdfVIP

摘要 自从1996年第一次研制出GaN蓝光激光器以来，以GaN及其合金为基础的量子 阱、超品格、应变复合材料将半导体材料的发展带到了一个全新的领域，在这类材料的 推动下，量子阱激光器、高速二维电子器件和光电集成器件等得到了很好的发展。本论 文在有效质量近似理论下，运用变分法分别计算了闪锌矿结构GaN／AIGaN量子阱中类 氢杂质念的激光场的基态施主束缚能效应和闪锌矿结构GaN／AIGaN量子阱中类氢杂质 态的激光场和外加电场的竞争效应的施主束缚能；另外，还计算了半导体闪锌矿结构 InGaN／GaN步阶阱中类氢杂质态的电场和步阶束缚能的竞争效应。 首先，计算了闪锌矿结构GaN／AIGaN量子阱中类氢杂质态的激光场的基态施主束 缚能效应。结果表明束缚能取决于量子阱的结构参数和铝含量；本论文还研究了激光场 和量子束缚对杂质态的竞争效应，这些性质在本论文中分析了相关的物理原因。当杂质 位于阱宽比较窄，铝含量比较低的量子阱中时，激光场对杂质态束缚能的影响更显著。 当杂质位于闪锌矿GaN／AIGaN量子阱边缘时，铝含量，阱宽和激光场强度的变化对束 缚能的影响比较小。 其次，计算了闪锌矿GaN／AIGaN蕈子阱中类氢杂质态的激光场和外加电场的竞争 效应的束缚能。结果表明无论激光场