第一性原理究ce掺杂zno、cen共掺杂tio2及透明导电氧化物in4sn3o12和in4ge3o12的电子结构和光学性质.pdfVIP

摘 要 摘 要 宽带隙半导体材料由于其特别的物理性质和广泛的用途而备受人们的关注。ZnO 是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为 3.4 eV，发光波长相对于近紫外 的 368 nm 。与GaN 等其它光电材料相比，ZnO 具有一系列优势，比如较低的静态介电 常数、较大的光电耦合系数、高的化学稳定性以及优良的光电、压电特性。它的激子 束缚能高达 60 meV，远高于 GaN 的相应值（约21 meV ~ 25 meV ），因此， 用 ZnO 制成的器件在高温条件下具有更好的效率。ZnO 在紫外发光二极管、太阳能电池、液 晶显示器、气体传感器、紫外半导体激光器以及透明导电薄膜方面有广阔的应用前 景。近年来，人们发现通过掺杂可以改变 ZnO 的性质，使其性能得到更好的发挥。 透明导电氧化物材料具有禁带宽、可见光谱区（390 nm-760 nm，约 1.63 eV – 3.18 eV ）吸收率和反射率低以及电阻率低等共同光电特性，因而被广泛的应用于太阳能电 池、平板液晶显示、电致发光显