等离子体浸离子注入方法制备p型zno薄膜材料的研究.pdfVIP

摘要 摘要 ZnO在光电子等领域有着广阔应用前景，具有巨大的市场潜力，已经成为继 GaN之后光电子领域的又一研究热点，引起了世界各国科研界和光电产业界的高 度重视。然而，制各可重复的、稳定的、低电阻的、器件级P型ZnO材料是ZnO 研究中面临的主要挑战。本论文介绍了一种新型的P型ZnO薄膜制备技术一一采 用等离子体浸没离子注入(PIII)与共掺相结合的技术制备P型ZnO薄膜。首先 腔体内的样品台上，腔体抽真空。之后，在腔体中通入含N的工作气体，使用 600W射频源产生面均匀、大体积感应耦合等离子体。等离子体的参数通过朗缪 尔双探针、多通道光谱仪等设备来进行诊断。样品台偏压源是10kW固态开关电 路的快上升沿(10娟S)高压脉冲电源，脉宽和频率可调，可给衬底加载最高达 65kV的负偏压。如此高的负偏压在注入时可以有效地打断原有组织结构而重新 的热辐射扩散作用，粒子的注入深度能达到几百纳米，且注入成分密度分布可以 通过调节离子能量即负偏压大小来控制。再通过控制退火气氛、温度等，进一步 活化己注入的N元素，改善注入后薄膜的结晶情况与P型改性情况。使用这种方 法，我们得到了呈现出P型特性的ZnO薄膜。 我们对使用上述方