au（siiolt;,2gt;）p-si结构中载流子输运及电致发光机制的研究.pdfVIP

摘要 随着信息技术的迅猛发展，用光代替电予作为信息的载体，加快信息的传递 速度，已成为光通讯技术和光电子计算机发展的必然趋势。由丁硅材料和硅V面 ：【I艺是超犬规模集成电路的核心和关键，苴至日Iii『，任何半导体材料都无法取代 它的作用和地位。因而探索硅的可见发光是材料科学和光电了科学领域中多年来 没有解决而义意义重大的研究课题。由于二氧化硅是硅集成电路的钝化膜和介质 膜，与硅平面工艺完全兼容，如果能实现纳米硅／二氧化硅体系的有效发光，就 可以实现光电集成。 为了探索制备理想的发光材料的最佳工艺和方法，并且从理论卜认清其发光 的机制，对优化材料的适用条件和制备手段进行指导。在本论文中，我们小组主 要用射频磁控溅射技术制备了Au／(Si／Si仉)／P—si结构的样品，测定了样品在室 温下的I—V特性曲线以及不同电压下的电致发光谱。对其电致发光的内在机制进 行了研究。 对载流予输运机制的研究，丰要是用隧穿模型和热电r发射模型对测得的 I—v特性曲线进行分析。结果表明在较高的电场下，Au／(Si／Si0。)／p—Si结构的I—V 曲线随Fowler—Nordheim规律变化，陷阱对电流的影响不明显，电流受电压和温度 以及薄膜的厚度影响比较明显。但在低场范围和反向偏压F，