csmgxlt;,3gt;（x=c1，br，i）中掺vlt;#39;2+gt;的自旋哈密顿参量的理论研究.pdfVIP

摘要 摘 要 电子顺磁共振(EPR)谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及络合物局部结构、 光学和磁学性质等的有力工具。EPR谱常用自旋哈密顿参量(零场分裂，2因子和 超精细结构常数A因子等)描述。 对晶体中3∥离子(如V”，Cr3+等)的EPR实验结果已有较多报道，而其电 子能级和多重态结构也为一些理论研究所获得。在前人工作中，推导了基于离子 簇模型的不同对称下3d3离子自旋哈密顿参量的微扰公式，其中考虑了传统晶场理 论所忽略的配体旋轨耦合作用以及P轨道与中心离子杂化的贡献，所得结果也有 所改进。然而，对于配体旋轨耦合系数特别大(如I一)的情况，其理论值与实验值 符合不好，并且配体轨道和旋轨耦合作用的贡献被高估了，其原因在于忽略了配 体S轨道的贡献。为了克服前人在八面体晶场中3矿离子自旋哈密顿参量理论研究 中存在的不足，本文基于离子簇模型建立了同时包含配体P和S轨道的单电子波函 数，利用强场微扰方法得到了立方、三角和四角对称下3d3离子自旋哈密顿参量的 改进的微扰公式，并在理论上确定了分子轨道系数与光谱参量和杂质局部结构的 关系，从而建立了不同对称下自旋哈密顿参量与杂质局部结构性质的关系。 果发现考虑配体S轨道的