ecr-cd制备a-sixn：h薄膜及其发光性能的研究.pdfVIP

ECR—CVD制各a-SixN：H薄膜及其发光性能的研究 摘要 摘要 使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR．cVD)方法室温生长了非 晶氢化的氮化硅薄膜。在薄膜制备方面，通过改变前驱气体的流量比，研究了薄膜的 生长速率、等离子体的发射光谱、薄膜的红外光谱和x射线光电子能谱。结果表明： 随着NH30吧)流量的增加，氮化硅薄膜的生长速率呈下降趋势，这主要是由于等离子 体中的气相前驱成分之一硅基团浓度的不断下降所导致的：随着NH3㈣)流量的增 加，薄膜中键合了较多的具有较高电负性的N原子是Si-N和si-H伸缩振动发生蓝移 的主要原因。红外光谱的定量计算表明所制备的氮化硅薄膜具有相对较低的H浓度， 约15％左右。文中对氮化硅薄膜的生长机制也进行了讨论。 在薄膜发光研究方面，制各了电致发光器件，对薄膜的光致发光和电致发光进行 了研究。结果表明：富硅状态下，电致发光与光致发光波长随着薄膜的硅含量减少逐 渐‘蓝移’，富氮情况下发光峰不再移动。我们认为，非晶硅量子点的量子限制效应 和薄膜重的缺陷对薄膜发光都作贡献。富硅状态下，薄膜中过剩的硅形成纳米团簇， 此时薄膜中缺陷浓度较低，可见光发射主要来