钙钛矿氧化物薄膜电学光学非线性特性.pdf

摘 要 摘 要 钙钛矿氧化物材料由于其晶格结构的复杂性，在电学、光学、磁学和热学等 方面具有丰富的物理特性，通过其薄膜材料的制备，有望应用在下一代的多功能 电子器件中。本论文工作采用脉冲激光沉积的方法在 Nb:SrTiO3 （100）和 MgO （100）基底上生长了CaCu Ti O 、Au: CaCu Ti O 和 Au: Ba Sr TiO 等单层 3 4 12 3 4 12 0.6 0.4 3 薄膜材料，制备了 Pt/CaCu Ti O /ITO/MgO 、In/CaCu Ti O /ITO/MgO 和 ITO/ 3 4 12 3 4 12 CaCu Ti O /ITO/MgO 等多层薄膜结构，研究了钙钛矿氧化物薄膜的制备及电学、 3 4 12 光学非线性等性质，重点分析了 CaCu Ti O 的热释电及I-V 增强特性。 3 4 12 主要研究内容和成果如下： 1、利用脉冲激光沉积技术，在MgO （100）基片上制备了Au 纳米颗粒掺杂 的CaCu Ti O 薄膜，通过测量纯 CaCu Ti O 和 Au: CaCu Ti O 薄膜的 I-V 关 3 4 12 3 4 12 3 4 12 系，发现掺 Au 纳米颗粒后，薄膜的 I-V 非线性系数得到了较大提高。根据能带 理论和拟合分析，用双肖特基结模型合理解释了 Au: CaCu Ti O 薄膜中的增强 3 4 12 I-V 非线性线性特性，证实了 CaCu Ti O 材料中确实存在边界效应。这种基于 3 4 12 激光脉冲沉积技术掺杂金属纳米颗粒的方法为增强薄膜材料的 I-V 非线性提供 了一种新的途径，对集成电路中电阻开关器件的制作具有重要意义。 2 、在 Nb:SrTiO （100）基底上生长了多晶 CaCu Ti O 薄膜，经高强度电 3 3 4 12 压极化后，形成垂直于薄膜表面的极化分量；在 295 K 到 340 K 的温度范围内， 对 于 厚 度 为 700 nm 的 CaCu Ti O 薄 膜 ， 测 得 其 热 释 电 系 数 为 3 4 12 −7 2 1.35×10 C / cm K ，比目前已报道的绝大多数材料提高了数倍至一个数量级以 上。同时发现在 300~700 nm 范围内，热释电系数随薄膜厚度增加而变大，并用 钛氧八面体畸变机制解释了 CaCu Ti O 热释电效应的来源。而对于未极化的样 3 4 12 品，则观测不到明显的热释电现象，这表明 CaCu Ti O 薄膜内部的电偶极矩在 3 4 12 未经极化时处于长程无序状态，而经强电场极化后，形成有序的电偶极矩，并能 够在一定温度范围内长期