mgzno金材料及其异质结构的制备和光学性质研究.pdfVIP

摘要 近几年，ZnO基半导体材料作为紫外光电子应用方面有前途的候选材料而成 为光电子领域研究的热点。要获得高性能光发射器件，关键技术之～就是建立异 质结构，将光电器件中的光子和电子限制在阱层内，实现低阈值的受激发射。而 ZnMgO合金薄膜被公认是制备ZnO基紫外激光器件适宜的势垒材料，I酗M92+可 以在一定范围内取代ZnO中ZnZ+格位，形成保持纤锌矿结构不变的MgZnO合金并 使带隙展宽。为了更好的设计和构造器件结构，详尽的了解MgZnO合金和 MgZnO／ZnO异质结构的基本性质是十分必要的。 本论文利用等离子体辅助的分子束外延设备制备了M92n1．xo合金和 MgZnO／ZnO异质结构材料，开展了结构和光学性质的研究，并探讨了 MsznO／ZnO单量子阱的超辐射机制。具体研究内容如下： 1．我们利用等离子辅助分子束外延(P小毋E)的方法，在蓝宝石c-平面上 外延生长了Mg。Znl．x0合金薄膜。在x≤028，我们得到了六角纤锌矿结构 相转换对吸收、光致发光以及共振拉曼光谱影响的研究。 2通过原位反射式高能电子衍射仪，x射线摇摆曲线测试表明六角纤锌矿结 2)为单晶薄膜。在典型六角纤锌矿结构的合金薄膜中 构的Mg；Znl．。0(O≤x≤0 获得了室温下强的紫外发光，并通过变温光谱详细的研究了这个紫外发光的机 制，将其归结为自由激子的发射。 3制备了具有不同阱宽的Mgol2Zno勰O／ZnO单量子阱结构。随着阱宽的减 少，来自ZnO层的发光峰出现明显的蓝移被认为是由量子限阈效应引起的。在异 12zno8s0盖层向ZnO层注入的过程，这归结为 质结样品中观察到了载流子}／kMgo 样品中存在着与界面态相关的局域激子。由时间衰减曲线和时间分辨光谱证明界 面效应对载流子注入的影响随着阱宽的减小而减小． 12zIlos80／ZnO单量子阱样品(L=1．5nm)的激子特性，计 4．研究了典型Mgo 算获得其激子束缚能为708meV,这是由量子限阅效应引起的。在高激发密度下。 在5K时观察到了样品的超辐射过程，这被归结为来自于激子．激子碰撞的P带发 射。 关键词：等离子体辅助分子束外延；MgZnl舶合金薄膜；ZnO基异质结构； 光致发光谱；超辐射 MgzIlo夸金材料曩其异质结构的制备和光学性质研究 Abstract basedsemiconductorshavebeen attention Recently attractingincreasing as for in candidates promising optoelectronicapplications becomesoneoftheresearchesinthe ordertOobtain optoelectronic hotspot region．In the anddecreasethethreshold high．．performancelight．．emittingdiodes(LED)devices ofstimulated ofthe iStOconstructa to emission,one keytechniques heterojunction realizedoubleconfinementactionsforelectronsand in devices．