mn掺杂zo外延薄膜的局域结构及稀磁特性研究.pdfVIP

摘要 近年来，稀磁半导体(D幅)由于在自旋电子学器件方面的潜在应用而引起了广泛 该工作发表以来，Mn掺杂znO体系引起了研究人员强烈的兴趣，成为稀磁半导体领域 重点研究的材料之一。在近两年的实验结果报道中，(zn，№)O中观察到了丰富的磁 学现象，既有低温铁磁性和室温铁磁性也有顺磁、反铁磁。关于这些磁学特性的产 生机理，尤其是铁磁性究竟是因为载流子与局域磁矩相互作用而产生还是源自与Mn 相关的磁性分离相等根本性的问题都具有很大的争议。目前唯一普遍认同的一点就 是，(zn，Mn)O的磁性对制备方法和生长条件非常敏感。事实上，制备条件的影响最 终都体现在样品的结构上。不同的制备条件得到不同的样品结构，从而决定了不同 的磁学特性。因此，最根本问题就是要弄清楚体系的结构，尤其是掺杂Mn原子的局 域结构，这对于解释铁磁性具有重要意义。 (zn，Mn)o样品进行了局域结构研究。作为一种可以对指定元素进行结构分析的方法， 法来处理高掺杂以及退火处理的样品中可能存在多种Mn原子局域环境配置的情况。 而对于只有一种主要局域结构的样品，仍然采用了传统的最小二乘法进行拟合，得 到了配位数肌键长且无序度口2等详细的结构参数。对于衬底200℃度条件下生长 方结构的MnO团簇。此外，我们还发现如果把衬底温度设定为150℃，则在目标掺杂 20％的样品中可以避免形成分离相。由于此样品接近于^ln原子在zno中的溶解度极限， 所以当在氧氛围中400℃退火1小时后样品中会形成大量Mn。O。团簇。 的样品中，观察到了居里温度为45K的铁磁性。随着骱含量继续增大，薄膜的磁性从 铁磁性转变成为反铁磁性。这与结构从替位形式到Mn0团簇的转变相互一致。此外， 退火前样品表现出的铁磁性也会随着退火明显变弱。根据ExAFs的结果，我们有理由 认为这是由于退火导致№氧化物分离相的产生，从而损害了样品的铁磁性。总之， 建立了磁学性质与局域结构之间合理、可信的内在关联。这些更清晰的结构图像， 致的磁性报道。 关键词：zn0，稀磁半导体，EXAFs，铁磁性 Abstract Inrecent theso—calleddiluted semiconductors years， magnetic attractedmuch inView attention oftheir in dcvices． potentialapplicationsspin仰Ⅱics that Mn ZnOcouldhaVe atroom Dietl甜口正predictedptype doped feⅡomagnetism Mn ZⅡOmaterialhasbeenstudicd asone temperature．Sincethen，thedoped eXtensively caⅡdidate．Various indicatetllattlle proⅢising expefimentalrcpons magneticpropemes is Besideslow room Very K)and of(zn，Mn)ocompHcated． temperature(～45 temperatureferroma91letic(Fh9 arcalsoobseⅣed someauthorS．Itisstill in(zIl，Mn)Osystemby con