mn-zn氧体薄膜的结构及磁性.pdfVIP

兰州大学硕士论文 摘要 摘 要 半导体集成技术的发展迫切要求电子元器件向小型化、平面化方向发展， 以致于块体材料远不能满足发展的需要，部分器件将由三维材料向二维材料 发展，例如平面薄膜电阻、电容、电感等。目前平面薄膜电感多采用金属及 金属合金材料，但由于金属及金属合金具有高导电性的内禀特点，在高频应 用时会产生较为严重的涡流损耗和趋肤效应，使其应用频率范围受到一定限 制。鉴于此，探索和研究具有高电阻率的铁氧体材料成为解决高频磁性材料 的途径之一。 本论文中着重研究了一种极具发展潜力的用于高频的薄膜电感材料：铁 氧体薄膜材料—帅一Zn铁氧体薄膜。块体材料Mn—zn铁氧体的电阻率高、软 磁性能好、使用频率宽．适于作高频软磁材料。目前对于晡n—Zn铁氧体薄膜 材料存在的主要问题就是饱和磁化强度鼢较块体材料低，矫顽力施较块体 材料高。因此在这里我们致力于解决的问题是尽量提高薄膜的饱和磁化强度 眙、降低矫顽力舱，使其性能尽量与块体材料接近。 1．Mn铁氧体薄膜 采川刺频溅射方法制备了Mn铁氧体溥膜，研究了热处理过程及溅射氧分 压对薄膜微结构和磁性能的影响，主要结论如下： A．沉积态薄膜为非晶态，在低真空中经过不同温度热处理后，得到了晶 化的薄膜，并且550℃左右晶化较为完全。 B．随热处理温度的升高，低于550℃时．饱和磁化强度眙增加．矫顽力 Hc下降。 c．适当延长热处理时间有利于薄膜晶化更加完全，改善了游膜的磁性 能。 D．研究了溅射氧分压对其性能的影响，综合饱和磁化强度肟、矫顽力 胞两方面考虑。找到溅射时最合适的氧分压为5％。 2．Mn—zn铁氧体薄膜 采J11 兰州大学硕士论文 论了薄膜成分、薄膜制备过程、衬底层等因素对薄膜磁性能和微结构的影响· 得到了以下丰要结论： n1…ZnFe=0．的铁氧体薄膜，发现随Zn含量的增大，饱和 A．对于成分为M 磁化强度眙先增大而后减小，且当X--0．40时，胎有最大值为 420kA／mi矫顽力肋随Zn含量的增大单调减小。 B．对¨n。．5zno．。Fe=0。薄膜，随热处理温度的升高饱和磁化强度眙增加而 矫顽力肋下降。并在550。C时有最高的饱和磁化强度肟和最低的矫 顽力舱。 c．研究了溅射过程中氧分压对薄膜磁性能的影响。找出了最合适的氟分 压为5％(压强比)。 D．研究了薄膜厚度对不同成分薄膜磁性能的影响，表明大于300n=后薄 膜磁性能变化不大。 不仅可以阻止薄膜与基片之间的扩散，还可以有效降低矫顽力船， 是一种较好的衬底层。 兰州大学硕士论文 摘要 ABSTRACT Withthe ofthecircuit electronic development integrationtechnology,the willbe insizeand devicessuchas andinductors capacitors，resistors decreasing materials the thinfilms dimensions．Bulkcan’t satisfyrequirements．Magnetic with wereadvancedfor tomicro—inductorsand highms