mg位掺杂gblt;,2gt;超导体的超导电性与微结构研究.pdfVIP

摘要 摘 要 本论文主要研究了MgB2超导体及其掺杂系列多晶样品的超导电性和微结构 特性。首先介绍了超导体的相关基本知识和MgB2的超导电性及其发展历史，然 后介绍了Mn、Co、Cr和砧掺杂MgB2超导体样品的合成，并研究了掺杂后MgB2 超导体超导电性及微结构的变化。论文共分为四章，主要内容简要归纳如下： 第一章首先简单介绍了超导体的基本概念及其发现、发展历史；然后重点 综述了MgB2超导体的研究进展情况，主要包括MgB2的晶体结构、同位素效应、 电子能带结构、输运性质、Hall效应以及拉曼光谱等研究内容；我们总结了MgB2 超导体各种形状材料的制备。最后，我们还总结了MgB2中各种元素的替代掺杂 效应，有Mg位替代和B位替代。重点阐述了Mg位的Al替代和B位的C替代 对MgB2超导体微结构和超导电性的影响。同时还介绍了MgB2中Mg位磁性离 子(Mn)的掺杂对MgB2微结构和超导电性的影响及其相关结论。 O．02，0．03，0．04)系列多晶块材样品，并通过XIm、拉曼光谱对它们的结构特 征进行了系统的研究。对于Mn掺杂的样品，随着掺杂浓度的增大，样品的晶格 常数c逐渐减小，晶格常数口，6却没有明显变化，超导转变温度急剧下降，＆吼觚 峰宽增加。对于Co掺杂的样品，随着掺杂浓度的增大，样品的晶格常数c有所 增大，晶格常数口、6没有明显变化，超导转变温度下降趋势较之Mn掺杂要缓 慢得多，黜Illl觚峰宽几乎没有变化。我们通过分析讨论认为，№掺杂导致超导 转变温度的降低是由磁拆对效应造成的，而对于Co掺杂，磁拆对效应则不是很 明显。对比Mn、Co掺杂，Mn掺杂较之Co掺杂会引入很强的局域磁矩，可导 致结构无序的迸一步加强，从而导致№掺杂后的样品的黜呱姐峰宽增宽，并 进一步影响Tc。 0．02，O．03，O．04)，并测量了相关的超导电性，发现超导转变温度随着Mn含量的 增加急剧下降。晶格常数口、6基本上保持不变，而晶格常数c却随着掺杂量的 增加而减小，通过对比Mn、Fe、Al掺杂引起的晶格常数c的变化，我们得出 摘要 Mn是以三价的形式进入MgB2晶格。Mn掺杂引入的无序导致＆啦an峰宽随着 Mn掺杂量的增加而增大，同时也抵消了Mn”引入的电子填充效应对黜lIIl锄峰 位的影响，’从而使R撇azl峰位并没有随Mn掺杂量的增加而发生明显移动。 第四章 0．03，O．04)多晶样品，并研究了样品的相关性质。通过对样品X射线衍射图和电 6随着掺杂量x的增加没有发生明显变化。晶格常数c和电阻率随着掺杂量x的 增加，变化趋势非常相似，都是随着掺杂量x的增加，先减小，后增加，在X=O．02 时出现拐点。我们推测，Cr掺杂导致了晶格常数随着掺杂量x的增加，先减小， 后增加，进而影响晶格振动也会出现某种相应的变化，而这种晶格振动的相应变 化最终将导致电阻率也随之作出相应变化，即先减小，后增加。 Abstract AbStract IIl fiI．stirnl．0duedtlleb雒ic of tllis dissertatio玛we k110wledgesuperconductor； we心Studied锄d 也啦meM玛Co，Cr，觚d础dopedM庐2polyc巧刚li鹏s吼ples t11e谢a：tionsofmicrostnJctll他s龇ld indetail．The superconductivtieswe坞章Ven dissertationinCludesfour chapte墙： IIl of of 1，fistly，b笛ic superco舭r觚ddeVelo