srlt,2gt;bilt;,4gt;tilt;,5gt;olt;,18gt;层状钙钛矿铁电体a位掺杂研究.pdfVIP

茺锋：s’2Bi4Ti50lR层状钙钛矿铁电体A化掺杂研究 摘 要 通过研究其陶瓷样品的晶体结构、铁电和介电性能，探讨了A位掺杂对层状钙钛 矿结构铁电材料性能的影响机理。 SBTi类钙钛矿层的A位含有两种阳离子：三价的B，和二价的s一。采用传 统的固相烧结工艺，制备了不同镧系元素(La，Sm，Dy)掺杂SBTi和碱土金属元素 (Ca，Ba)掺杂SBTi的铁电陶瓷样品。用x射线衍射对它们的结构进行了分析，发 现掺杂基本未政变材料原来的晶体结构。 研究了俐三价的镧系元素离子取代部分Bij+对材料性能的影响。铁电测量结果 显示，当外加电场为125kV-cm-1时，SBTi的剩余极化2P，约为16t3 Ic．cm～。随 镧系元素掺杂量的增加，样品的剩余极化呈现出先增大后减小的变化规律。La掺 响，与材料中缺陷的浓度和晶格畸变的程度等因素有关。用更稳定的La系元素离 子取代Bi3+，可以降低材料中缺陷的浓度，从而减轻畴钉扎效应，使更多的畴参与 极化翻转，提高2P，值。2B的下降，则与镧系元素掺杂导致材料的晶格畸变减小 有关。此外，掺杂离子进入(Bi202)H层可能是导致较大掺杂量时铁电性能明显F降 的义一因素。La、Sm、Dy掺杂还能降低SBTi的矫顽场?＆。并且，材料的居擘温 度瓦也随掺杂量的增加而单调降低。届照温度降低表明．La系掺杂导致材料的品 格畸变变小。这可能足因为Bi3+离予最外层存在着束拭_I_lj的缸电予，而镧系元素 离子最外层没有65电子，与周围02’离子的2p电子的杂化能力降低，所以A位原 子与氧原子的共价作用减弱，从而使晶格畸变减小。La掺杂使瓦降低的速度要明 用比La与02一的强一些，因此相比较而苦，La掺杂比sm，Dy更容易使品格畸变 减小，所以La掺杂样品的居里温度下降得更快。 塑 扬埘欠学硕}1学能论文 竭ca2+墩代sP，提疼了携崧携疆鼙溢浚，裁余搬纯2以隧ea竣代疆的瓒藤 先增大膳减小，当x—O．15时，达到最大值21。1IlC-cm_’。Ba2+取代sf2+则导致 材料的铁电性能呈单谰F降趋势。Ca、Ba完全取代sr时，样6^的铁电性能几乎消 失。Ca敷代瓒火了秘瓣弱续捡峨变摆痊，扶露号l起鼹麓淫度秀赢。21；的攒大也引 凼于结构畸变增大。继续增趣l掺杂辍时剩余极化却逐渐减小，这可能与Ca含量增 多后钙铁矿瑶沿挂轴褶对(Bi202)”屠鹊繁体位穆减小，缺陷浓度增大等副索有关。 Ba取代减弱了结构嗡变，从两导致自发极化减，j、，铁电性驻F黪。Ba2Bi4’li50撼 的介电峰显著宽化，淡明铁电一顺电相一变发生弥散，间时，相对介电常数s产生 颧率色散现象，Ba2Bi4Ti50i8夜现疆{魏豫锾电幸拳拳擎经。 甍镪：SrzBi4嚣50镕鹱状钙钛镕‘铁啦搏A僚掺杂鹾究 堡 Abstract The structural。ferroelectricanddielectric ofA*site properties Sr2Bi4Ti50ls doped the to of beenstudied． (SBTi)，whichbelongs layer-structured family ferroelectrics，have Thesestudieswillbe to understandthemechanismof helpful the variationsof