znlt,1-xgt;mglt;,xgt;o薄膜的制备与表征.pdfVIP

河南大学凝聚态物理专业2002级硕士论文胡界博 中文摘要 eV)半导体 氧化锌是一种重要的功能材料和新型的II—VI族宽禁带隙(3．37 材料。具有较大的激子束缚能(60meV)，可实现室温下的紫外受激辐射。因此， 氧化锌是一种很有前途的紫外光电子器件材料，极具开发和应用价值。特别是ZnO 薄膜紫外激射的发现，使它成为国内外在半导体材料研究中的新热点。 由于ZnO单晶生长困难、价格昂贵、尺寸小(仅有lGnl3大小的单晶)，难以满足 各种应用的需要，因此对各种ZnO薄膜制备技术的研究和开发成为ZnO材料及器 件应用研究的一个重要方向。目前，比较好的成膜技术有分子柬外延(MBE)和脉冲 激光沉积法(PLD)。但成本太高，不能实现大面积成膜。本论文采用溶胶一凝胶工 艺制备ZnO及ZnMgO合金薄膜，详细研究了热分解温度、热分解时间、晶化温 度、衬底等工艺参数对薄膜的结晶质量和发光性能的影响。取得了一些有意义的 结果。主要内容如下： 表明：ZnO薄膜均为纤锌矿结构。热分解温度较低时，样品呈(002)择优生长的特 性，随热分解温度的升高，(002)衍射峰变得更强而且半高全宽减小，当热分解温 生长的特点；在相同的熟处理条件下，石英衬底上所生长的ZnO薄膜具有C柱择 优取向生长的特性，而Si衬底上生长的ZnO薄膜则是自由生长。 2．室温下样品光致发光光谱的测量结果表明：所有的样品均有两个发射带，即近 带边紫外发射和可见发射带。随热分解温度的升高，样品的紫外发射带增强，半 峰宽减小，可见发射贝q减弱，当热解温度为4000C时，紫外发射最尖锐，几乎观 察不到可见发射；随着热分解时间的增长，样品的紫外发射显著增强，可见发射 紫外发射增强，在整个温度变化范围内几乎观察不到可见发射；石英衬底上样品 的可见发射较强。 nm附 3．测量生长在石英基底上的氧化锌薄膜的吸收光谱，结果表明：样品在370 l 河南大学凝聚态物理专业2002级颂十论文胡界博 eV。ZnO薄膜透射光谱的测量结果 近有一陡峭的吸收边，所对应的能量值为3．35 表明：样品在可见光波段的平均透过率为85％。 金薄膜。XRD结果表明：在0．1x0．37范围内，合金薄膜仍然保持氧化锌六角 纤锌矿结构，(002)衍射峰位随X的增大向大角度方向移动；室温光致发光谱表明： ZnMgO合金薄膜PL谱由较弱的紫外发射带和较强的可见发射带组成，且随着Mg 含量的增加紫外发射峰位发生蓝移，同时可见发射增强。 II 河南大学凝聚态物理专业2002级硕士论文胡界博 Abstract anda II—V1wide Zincoxideisa material kind functional new—styled ofimportant band material．Ithas exciton large binding eV)semiconductorcomparatively gap(3．37 attheroom canbeexcitedtoemitultraviolet temperature． energy(60meV)and