znomgno单量子点内的激子态和带间光跃迁.pdfVIP

摘要 在最近几年罩，宽禁带纤锌矿半导体ZnO由于其在蓝光和紫外区域光器件的应用 越来越受到人们的关注，而且在短波光学装置方面已成为最佳候选材料，比如紫外探测 器、激光二极管等。本文在有效质量近似下，用变分法研究了束缚在纤锌矿 ZnO／Mg。Zn,．x0圆柱型应变单量子点中的激子态和发光性质。 本文第一章介绍了半导体量子点在近几十年的研究进展。第二章概括描述了II— 量子点激子态的理论模型。在有效质量近似下，利用变分法研究了束缚于对称 ZnO／Mg。Znl-xO圆柱型应变单量子点中的激子的结合能、发光波长、电子一空穴的空间 复合率和激子基态能。在研究的过程中，既考虑了量子点对电子和空穴的三维空间受限， 又考虑了由自发极化和压电极化所引起的内建电场效应。第四章给出了计算结果，首先 根据实验结果确定了纤锌矿ZnO／M＆Znl．。0量子阱的内建电场，选择了合适的波函数， 然后研究了激子的发光性质和量子点结构参数的关系，并得到如下结果：由自发极化和 压电极化引起的非常强的内建电场对量子点的发光性质有重要的影响，另外，量子点高 度工的变化对量子点发光性质的影响要比量子点半径尺的变化对量子点发光性质的影 响更明显。因此，在研究量子点的发光性质时必须考虑由自发极化和压电极化所产生的 强的内建电场的影响，还要重视由量子点高度的变化所引起的变化。第五章给出了本论 文的主要结论。 关键词：量子点，内建电场，激子态，带间光跃迁 ABSTRACT Inrecent wideband ZnOhasattracted years，the a lotof gapwurtzite(wz)semiconductor becauseofits attention potential for devicesintheblueand applicationsoptoelectronic ultraviolet(UV) has been asa candidateforthe of spectralregions．It recognized promising development devices optical suchasultraviolet diodes．Inthis theframeworkof detectors，light-emittingpaper,within the effective-mass statesandluminescent confinedina approximation，exciton properties symmetric wurtzite strained meansofa cylindricalZnO／MgxZnl．xosinglequantumdots(QDs)arc investigatedby variational approach． This isdividedinto5 1isareviewofthe ofsemiconductor paper chapters：Chapter development inrecent describematerial ofII—VI QDs