zno基半体—金属异质纳米结构.pdf

摘要 新型半导体异质结构是当前半导体科学技术研究的前沿领域。借助异质材料 的接触与融合所产生的表面和界面的奇异功能特性，来创造新型材料和器件，已 成为许多研究领域的指导思想。本论文从ZnO基半导体出发，探索发展新结构、 揭示新现象、阐释其物理机制，着重介绍了两方面工作：ZnO／Au异质结构材料 设计、制备，并对ZnO薄膜的应力、发光特性以及极性控制作进一步的探讨： 存ZnO／Au异质结构材料的研究中，首先采用了基于密度泛函理论的从头计 ZnO／Au异质结构模型。通过模拟计算ZnO不同结构的体系总能，优化并确定了 ZnO薄膜的结构性质。接着我们在si衬底上溅射沉积了两种厚度的Au薄膜， 后用气相沉积方法在不同温度下沉积了ZnO薄膜。研究发现Au形成纳米晶粒后 生长的ZnO薄膜表面呈六角对称小丘状，薄膜沿c轴生长，晶粒尺寸较大，晶 纳米Au晶粒引导异质生长ZnO薄膜，不仅能够充当生氏晶核，还能够控制ZnO 薄膜为Zn极性、降低si衬底与外延层问的失配应力、提高带边紫外发光效率。 此外结合理论模型，进一一步探讨Au纳米颗粒上ZnO薄膜的生长机制：提出存晶 核形成时处于富zn状态，随着晶核慢慢向边上生长，zn和O的比例越来越接 近理想化学剂量配比，ZnO的质量也更好，岛状的ZnO慢慢接合在一起，形成 质量较好的无晶界的薄膜结构。 结构纳米J列轴线阵列。使用r包括扫描电子显微镜、能量色散x射线谱、高分 辨透射电子显微镜以及X射线衍射等各种实验方法对样品进行了表征，提出了 一种新的应力促进生长机制，为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。同时 测量了不同温度下样品的阴极荧光谱，存300nm左右、560nm和865nm左右 分别出现了强度依次减弱的峰。各峰的半高宽都随温度增长而增大。通过对比 也是纳米结构中经常观察到的一种模式。而波长约为300 i-lm的谱峰可归结于沿 金属锌中芯表面传播的消逝波，这是Zn2Si04-Zn异质结构纳米同轴线所特有的。 我们还提出用波导模式来解释波长约为865nln的谱峰，该模式为光存zn内芯 与ZnzSi04外壳外壁间的多次反射，并满足加强条件形成了共振。由于这种特殊 的金属一半导体同轴结构，消逝波限制了光在zn中芯表面的传播，大大降低有 效模体积，获得了较大的RaN分裂，因而在波长约为300 nlTl左右可以观测到双 谱峰结构。 关键词：ZnO基半导体、异质结构、纳米同轴线、纳米谐振腔、回音壁模式 Abstract Oneofthe avenuesinthecurrentsemiconductorscienceand promising researchisthe ofthenovelsemiconductor technology development functionalmaterials．It to isextremelyimportant materialsanddeviceswith explore new andfunctions．Thisthesisaimsto fornew out properties grope structure，open new and a intotheir insight phenomenaprovidethorough physical the havebeen is material and of aspects