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zno薄膜p型zno薄膜的磁控溅射法制备及其性质研究
摘要
ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3．37eV，
熔点为2230K，具有良好的热稳定性和化学稳定性以及更短的激射波长，是制
作短波长激光器以及紫外探测器的理想材料。ZnO最大的优点是其高的激子束
许多，高的激子束缚能使其在室温下具有强的激子发光特性。
本论文利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面(002)取向的ZnO
荧光光谱(PL)等测量分析手段，分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和
退火对ZnO薄膜结晶质量及光学性质的影响。研究表明，在200℃低温生长的
硅基ZnO外延薄膜能够形成几十到几百纳米的氧化锌准六角结构外形，而玻璃
基底上则没有。当氧氩比为4：1时，吸收谱激子峰最佳；而退火处理后，所有
样品的结晶质量提高，表面更平整，且吸收谱的激子峰(363ram)得到加强，同
时出现了402nm的晶体内本征氧空位的紫光发射。
P型掺杂是形成p-n结，实现ZnO电注入发光的关键技术。本论文应用磁
控溅射的方法，首次采用“高掺磷Si衬底-ZnO薄膜磷扩散法”制备了P型ZnO
薄膜。XRD测试结果显示了P型ZnO薄膜的高度C轴择优取向，其结晶尺寸大
较低的反向漏电电流的良好的伏安特性曲线。
关键词：ZnO薄膜，P型ZnO薄膜，射频磁控溅射，反应溅射，光致发光
ABSTRACT
ZnOisanovel hasa of
3．37eV,
wide—gapsemiconductor,whichbandgap
with excitonicand exciton is
binding
combininghigh gain large energy(60meV)．It
asuitablecandidatefortheUV device
applications．
optoelectronic
Inthis of
paper，lowtemperatureepitaxialgrowthhighly
ZnOthinfilmswereachievedon substrates
n-Si(001)andquartzglass separatelyby
reactiveradio ofthe
frequency(RDmagnetoCO—sputteringtechnique，Theproperties
werestudied force
microscopy(AFM)，
samples byX-raydiffraction(XRD)，atomic
isfoundthatthe
absorptionspectroscopy(ABS)andphotoluminescence(PL)．It
structureand of thinfilmsareinfluencedthe
ZnO
opticalproperties by sputtering
ofZnOthinfilmis
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