zno薄膜制备与发光性能的研究.pdfVIP

摘要 ZnO是一种宽禁带半导体材料，为六方晶体(纤锌矿)结构，与 GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3．37eV左右，激子束 缚能为60 meV，是继GaN之后的又一理想的光电材料。 本文利用直流磁控溅射法制备了表面平滑、结晶质量较好的znO 薄膜。研究了氧分压、溅射功率、工作气压、基片温度、氮气气氛中 退火处理以及掺杂对znO薄膜的表面形貌、结构及光学性能的影响， 并讨论了ZnO薄膜的发光机制。 随着基片温度的升高，氧分压、溅射功率的增大，ZnO薄膜的结 晶质量先得到提高，后又受到破坏；随着工作气压的增加，薄膜的结 晶质量下降。ZnO薄膜的透光性受膜厚与薄膜的结晶质量两个因素的 影响，但不同工艺参数对ZnO薄膜的透光性的影响规律性似乎不是 很强。退火处理能够明显改善ZnO薄膜的表面形貌、结晶质量，提 高薄膜的透光性。磁性离子Ni、Fe的掺杂均能改善ZnO薄膜的表面 形貌与结晶质量，且使薄膜的吸收边发生红移。 ZnO薄膜的发光特性是本文的研究重点。ZnO薄膜的光致发光 (Photolumineseenee，PL)光谱包括400 nm左右的紫外发光峰和466 nm左右的蓝色发光峰。紫外发光峰是电子从导带到价带的跃迁产生 的。制备工艺参数的改变、退火处理以及掺杂都会对紫外发光峰的 峰位和峰强产生影响。蓝色发光峰的峰强也受上述因素的影响，但 是峰位几乎不受影响。并对蓝色发光峰的发光机理进行了探讨。首 先利用准化学反应方程式讨论了随着氧分压的增大，ZnO薄膜中六 间隙氧(oi)，间隙锌(Zni)的浓度变化，初步推测蓝色发光峰可能 是由Vo、Zni或Zno引起的。然后对掺杂ZnO薄膜的蓝色发光峰进 行讨论，进一步推测蓝色发光峰可能是由Zn；引起的。 关键词：ZnO薄膜，光致发光，紫外发光峰，蓝色发光峰 ABSTRACT widedirect semiconductorwithband ZnOisa band of gap gap 3．37eVandexciton of60meVatroom has bindingenergy temperature．It as thesamestructureGaNandbecomeanew materialfor opto·electronic innew devicesasa substratematerialfor optical application promising GaN． ZnO filmswithsmoothsurfaceand thin highcrystal quali够were DCreactive effectofthe magnetron preparedby sputtering．The of parametersoxygenpartialpressures，sputtering in and on pressure，sub