zns半导薄膜材料可控制备与性能研究.pdfVIP

A Dissertation Submitted in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master in Science Properties of semiconducting ZnS thin films prepared by a controlled method Master Candidate： Zhuo Wen Major ： Physics Supervisor ： Associate Professor: Zhang Rengang Wuhan University of Science and Technology Wuhan, Hubei 430081, P.R.China May 24th, 2015 万方数据 万方数据 摘 要 本论文通过溅射和蒸镀方法沉积 ZnO 、Zn 或 Zn/S/Zn 三层结构薄膜，并进行 硫化处理，制备出 ZnS 薄膜。用 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜以及紫外-可见分 光光度计等对薄膜进行了表征，研究了硫化条件对薄膜结构和光学性能的影响。 ZnO 薄膜在空气和 H S 气氛中退火后，只有硫化温度大于 300℃时，才能全 2 部转变为六方 ZnS 薄膜，且沿(002)晶面择优生长。最佳的硫化温度和时间分别为 500℃和 2h ，所得 ZnS 薄膜结晶性好、均匀致密，可见光范围光透过率约 80 ％。 空气退火温度的适当增加，会改善 ZnS 薄膜晶体质量。此外，讨论了 ZnS 薄膜发 光谱及其发光机理。 ZnO 薄膜在 500℃硫蒸气中则需长达 18h 时间硫化才能完全转变为 ZnS 。所得 六方结构 ZnS 薄膜沿(002)晶面择优生长 但薄膜光透过率低以及吸收边宽化。硫化 后薄膜晶粒明显比未硫化薄膜大得多，因为ZnS 再结晶缘故，其晶粒尺寸约为 1μm。 而 Zn 薄膜在 500℃硫蒸气中仅 1h 就能全部生成 ZnS 薄膜，其低的光透光率可通 过梯度硫化进行改善。 三层膜结构在 Ar 气氛中进行退火，可以得到立方 ZnS 薄膜，其可见光范围的 光透过率可达 80 ％。这与在H S 气氛中硫化溅射 ZnO 制备 ZnS 薄膜光透过率相当， 2 而且前者制备方法更绿色环保。 关键词：ZnS 薄膜；磁控溅射；硫化；结构 I 万方数据 Abstract In the dissertation, ZnS thin films were produced by sulfidation of ZnO, Zn, or Zn/S/Zn films, which were deposited by sputtering and evaporation. These films were characterized by XRD, SEM and UV-VIS spectrophotometer. Effects of sulfidation condition on the structural and optical properties of the sulfurized films were stu