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ZnO 纳米线的热蒸发法制备及其受激辐射研究 中文摘要 ZnO 纳米线的热蒸发法制备及其受激辐射研究 中文摘要 ZnO 是一种典型的半导体材料，具有禁带宽度大、激子束缚能高、热稳定性好、 无毒无污染等优点。ZnO 是一种良好的光电转换材料，也是目前已知的唯一具有半导 体和压电体双重特征的材料，因而在微纳电子器件方面具有广阔的发展空间。尤其自 从碳纳米管的发现以后，一维ZnO 纳米材料已经成为人们研究的焦点。其中ZnO 纳 米线在纳米光电子器件和纳米电子元器件领域有着巨大的应用价值。另外，高度相干 的受激放大表面等离激元辐射（spaser ）可视为以等离激元形式存在的―激光‖ ，是目 前纳米光学研究的前沿热点。 本文的研究主要集中于生长大长径比的单晶 ZnO 纳米线，尝试构成半导体纳米 结构/绝缘介质薄膜/金属SIM 三层结构体系，探测实现紫外spaser 的激射条件。本论 文首先采用无金属催化剂的简单热蒸发法在不同衬底（单晶 Si 和石英玻璃）上、不 同生长温度（600~700℃）下制备了ZnO 纳米线。然后采用X 射线衍射谱（XRD ）、 扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析仪 （EDS ）、透射电子显微镜（TEM ）以及荧光光 谱仪等测试手段，研究了 ZnO 纳米线的结构、形貌及性能，以及生长温度和衬底种 类对ZnO 纳米线的结构、形貌及性能的影响。此外，研究了不同的ZnO 薄膜过渡层 对ZnO 纳米线的结构、形貌及性能的影响。ZnO 薄膜过渡层选用射频磁控溅射镀膜 设备预先在Si 衬底上沉积。最后根据一系列实验，对各种制备的ZnO 纳米线的生长 过程、生长机制进行了讨论和初步解释。 本文选用双离子束溅射沉积系统来制备 MgF2 和 Al 薄膜，并采用原子力显微镜 （AFM ）对薄膜进行了表面形貌和表面粗糙度表征，探索最适宜的薄膜的制备参数 条件，尝试构成ZnO 纳米线/绝缘介质薄膜MgF /金属Al 薄膜的SIM 三层结构体系， 2 探测实现紫外spaser 的激射条件。 实验结果显示： 1. 采用无金属催化剂的简单热蒸发法在不同衬底（单晶Si 和石英玻璃）上、不 同生长温度（600~700℃）下成功制备得到了大长径比的单晶ZnO 纳米线。对不同生 I 中文摘要 ZnO 纳米线的热蒸发法制备及其受激辐射研究 长温度和衬底种类条件下生长的ZnO 纳米线的结构、形貌及性能进行了研究。XRD 结果表明，制备得到的 ZnO 纳米线呈现出完美的单晶和六方钎锌矿结构，具有良好 的c 轴择优取向。且产品的纯度高、结晶质量好。SEM 表面形貌图表明，ZnO 纳米 线大量覆盖在Si 衬底和石英玻璃上。且700℃是一系列生长温度中生长ZnO 纳米线 的最优化温度，在此生长温度下，ZnO 纳米线长径比达到最大，约为300 （长度约为 15um，直径约为50nm）。EDS 结果显示，所制备的ZnO 纳米线的化学成分中只有锌 和氧两种元素，说明ZnO 纳米线没有其它杂质的引入。TEM 的选区电子衍射（SAED） 结果表明，制备的ZnO 纳米线为单晶六方结构，沿着c 轴方向生长。PL 测试结果说 明制备的ZnO 纳米线产生两个发光峰：在约 387nm （3.20eV ）处产生了一个强而尖 锐的紫外光发射峰，同时，在467~482nm （2.57~2.66eV ）范围内产生一个较弱而 宽的蓝光发射峰,分别归因于近带边（NBE ）辐射和ZnO 纳米线缺陷（主要是Zn 空 位）引起的深能级缺陷发光。研究结果表明，热蒸发法制备 ZnO 纳米线的工艺参数 中，生长温度对获得ZnO 纳米线的结构、形貌及性能的影响较大，而Si 衬底和石英 玻璃衬底则区别不大。 2. 采用ZnO 薄膜过渡层生长的ZnO 纳米线的SEM 结果表明，用此方法长出的 ZnO 纳米线形貌一致，粗细均匀，直径大小几乎均一，即ZnO 纳米线生长的均一性 和可重复性得到提高。且随着ZnO