zno纳米阵列的构筑、界面调控及其光电应用.pdfVIP

THE FABRICATION, INTERFACE MODULATION OF ZnO NANOWIRES ARRAY AND THEIR PHOTOELECTRICAL APPLICATIONS A Dissertation Submitted to the Graduate School of Henan University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science By Han xiao Supervisor: Associate prof. Cheng Ke, Prof. Du Zuliang May, 2013 摘 要 阵列化纳米结构可以为光生电子-空穴对提供必需的分离界面，并为分离后的光生 载流子提供直接的传输通道，这使得阵列化纳米结构在光伏器件领域受到广泛关注。其 中，纤锌矿结构的 ZnO 因其具有较大的带隙（3.36 eV ）、室温下较高的激子束缚能（60 mV ）以及机械和热学上的稳定性，被认为是最有前途的光电功能材料之一。在过去几 年中，国际、国内研究者利用 ZnO 纳米结构（如纳米线、纳米棒、纳米环和纳米管） 在光伏领域开展了大量的研究工作。就目前的研究结果来看，基于 ZnO 纳米结构的太 阳电池，其填充因子 Fill Factor （FF ）和开路电压 V 还远低于它们各自所对应的传统 oc 平面结构的太阳能电池。在这种纳米阵列结构中，较低的 FF 和 V 意味着其电荷的 oc 最终收集效率低于传统结构太阳电池的收集效率，主要原因在于：（1）传统量子点敏化 ZnO 纳米线阵的方式使得量子点的担载量有限，且均一性较差；（2 ）低温水热生长技 术的特点使得 ZnO 纳米线阵列表面存在大量的载流子复合中心，纳米尺度下这种表面 态和界面态会严重影响光生载流子的分离和传输特性；（3 ）传统无序 ZnO 种子层生长 的 ZnO 纳米线阵列结构往往难以保证纳米线严格地垂直基底生长，相互交叉的 ZnO 纳米线会导致其他半导体材料在纳米棒之间空隙填充的困难，难以形成理想的、完全的 异质结构。针对上述问题，我们开展了以下三个方面的研究工作： 一、 CdS NPs/ZnO NWs 复合结构的化学水浴和低温水热法制备及其光电性能：首先 利用低温水热法制备了 ZnO 纳米线（NWs ）阵列，然后用化学水浴法将 CdS 量 子点（QDs ）沉积在所制备的 ZnO NWs 上，构筑了 CdS NPs/ZnO NWs 半导体 异质结构。I-V 测试结果表明：与单一的 ZnO NWs 阵列相比， CdS NPs/ZnO 异 质结构的光电流增加约两个数量级；表面光电压谱（SPS ）测试结果表明：其光电 响应范围与其吸收结果相对应向长波区域扩展，并且其强度也得到较大程度的提 高；并研究了不同CdS NPs 沉积时间对表面光电压响应的影响。 二、 离子交换法构筑 Zn Cd Se@ZnO 核壳纳米线阵列结构及其光电性能：通过水热 x 1-x 生长和