zno基稀半导体纳米纤维的制备及物性研究.pdfVIP

摘要 eV)。 氧化锌(ZnO)是具有高激子束缚能(60meV)的宽带隙半导体(室温下约3．37 由于其特殊的压电、磁电、电光、声光等物性，而备受关注。最近几年来，稀磁半导体 材料同时利用电子的电荷属性和自旋属性，具有优异的磁、磁光、磁电性能，使其在磁 感应器、高密度非易失性存储器、光隔离器、半导体集成电路、半导体激光器和自旋量 子计算机等领域有广阔的应用前景，已成为材料领域中新的研究热点。磁性离子掺杂的 ZnO有可能成为此种功能的候选材料，实现光，电，磁的结合统一。在本论文中，我们 合成了锰和钴掺杂的氧化锌的纳米纤维和纳米柱，主要研究了样品的磁学性质。 我们利用溶胶．凝胶结合静电纺丝的方法制备了锰掺杂的氧化锌纳米纤维。在5K 和50K时分别测量样品的磁学性质，观察到了磁滞回线，说明此时是铁磁性的。但在 室温下，却只是观察到顺磁性，考虑到Mn30t的转变温度是“K，我们把室温下的顺 磁性的产生归结于铁磁性和反铁磁性的竞争结果。比理论值小的很多的磁化率证明了反 铁磁性的存在。 利用静电纺丝结合后热处理的方法制备了链状的钴掺杂的氧化锌纳米柱。我们测量 了不同氛围下的光致发光谱，得到了较强的紫外发光。我们成功获得了室温下的铁磁性， 并在分析样品结构的基础上，利用束缚极化子模型解释磁性产生机理。 · 关键词： 静电纺丝；稀磁半导体；铁磁性；顺磁性；拉曼散射；紫外发射 Abstract Zinc semiconductorwitha exciton meV)and oxide(ZnO)，a large bindingenergy(60 wideband attractedmuchattentionbecauseofitsversatile ev)，has physical gap(3．37 as and properties，such characteristics．Diluted attracted attentionfor magneticsemiconductors(DMS)hassignificant its in andenhanced in potentialprovidingfimctionality performancesemi-conductingdevices， field-effect includingspin-based transistors(FETs)，spin-polarized semiconductor this diodes(LEDs)，nonvolatilemagnetic memory,andquantumcomputing．In and ZnOnanofibershavebeen andtheir paper,MnCo-doped prepared magneticproperties beenstudied． have ZnOnanofibershavebeen and Mn-doped preparedbysol-gelprocessing measurementsthatthe electrospinningtechnique．