光掺杂和稀替代ybco的正电子谱研究.pdfVIP

摘 要 列样品的结构和表面形貌进行了分析，结果显示样品有良好的品质；并利用正电子湮没、 “光掺杂”等实验手段，对样品进行了系统的研究。 对不同淬火温度的YBc0样品，测量了光辐照前后的正电子湮没谱，发现正电子的 长、短寿命和平均寿命随光照时间的增加先缩短，然后逐渐增加。测试了样品临界温度 与光照时间的关系，其临界温度均有所提高，并利用光致电荷转移模型，进行了分析和 讨论。认为Cu．O链层的氧空位可以看做是光激发的电子的陷阱，它可将电子俘获。俘 获的电子产生晶格畸变，形成空穴复合的能量势垒，该势垒阻止电子与空穴的重新复合， 结果空穴被转移到cu02面上，导致cu02面上的载流子的浓度增加，提高了电导率。 利用正电子湮没技术对稀土元素替代的RBc0系列样品，进行了系统的研究，对镧 系收缩效应与超导电性的关系进行深入的讨论。得出结论，正电子湮没谱参数随替代稀 土离子半径的改变，一方面改变了电子的分布状态，使得费密面的能态密度增加，另一 方面半径较大的离子替代有利于使Cu．O层之间的耦合更加优化，从而提高了临界温度。 关键词： 高温超导体，正电子湮没，电子密度，光掺杂效应 Abstract AseriesofYBCO with concentrationsandanotherseriesOf samplesoxygen RBa2Cu307．6 methodin solid-state·reactionthisthesisTheir structurewas samples，werepreparedby crystal studiedXRDandSEM．Theresultsshownthatthe was by sample’scrystallization goodenough andshow structure singlephase TheYBCo after of to hasbeenstudied superconductingsystemexposuresamplesllght by PositronAnnihilationrimentatroom Theresultsdemonstratedthatthe expe temperature． electronstransfertoan cu—O wherewere in 1evelsof adjacent O‘， layers they trappedunoccupied 0calizedinthe betweentheValenceand excitedbandsdueto deep gap upper absorbingphOton The h01es increasethetotalconcentrationoffreeholesincu—o photoexcited gradually planes Thusthe wouldleadtoanincreaseofthe photodoping