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全息光栅反应离子束刻蚀特性研究 中文摘要 全息光栅反应离子束刻蚀特性研究 中文摘要 本文围绕离子束刻蚀衍射光栅的方法，对刻蚀过程中的图形演化展开了理论和 实验的研究。主要包括以下几个方面的内容。 首先，介绍了离子束刻蚀技术和常见的Kaufman离子源系统，讨论了离子束刻 蚀中主要工艺参数，阐述了刻面、开槽和再沉积等离子束刻蚀中出现的常见现象，分 析了其产生的机理，提出了解决方法。系统地研究了石英、光刻胶和铬三种材料在 心气和CHF3气体中的刻蚀特性，分析离子能量、束流密度和离子束入射角度对刻 蚀速率的影响。 介绍了模拟刻蚀过程中图形演化的几种常见的算法。在忽略再沉积效应、刻面 效应和二次刻蚀效应的基础上，用线段运动算法建立理想的离子束刻蚀图形演化程 序，并验证了程序的可行性。模拟了心离子束刻蚀和CHF3反应离子束刻蚀中的图 形演化规律，结果发现用CHF3反应离子束刻蚀光刻胶光栅能够得到较为陡直的基片 槽形。 研究了光纤光栅刻蚀中的演化规律，并和实验结果有比较好的吻合。针对CHF3 反应离子束刻蚀中刻蚀占宽比难以控制的问题，提出用离子束刻蚀和反应离子束刻蚀 相结合的方法，实现对刻蚀槽形占宽比的控制，这种方法对于较大条纹密度的光刻胶 光栅掩模有良好的适用性，为光纤光栅位相掩模的离子束刻蚀提供了可行的刻蚀方 案。 关键词：离子束刻蚀反应离子束刻蚀图形演化模拟占宽比光纤光栅 作 者：杨卫鹏 指导老师：吴建宏 全息光栅反应离子束刻蚀特性研究 英文摘要 onCharacteristicsoftheReactionIonBeam Study of EtchingHolographicGrating ABSTRACT ion Thisthesisisconcentratedonmethodof beam andthetheoretical etchinggrating and researchonevolutionof of is main etching experimental graph processdeveloped．The workofthethesisincludes： ofionbeam andcommonKaufmanionsource Firstly，thetechnology etching system is articlealsodiscussesthemaintechnical onionbeam introduced，this parameter etching thecommon which inionbeam phenomenonappears etchingprocess， process，expounds as its mechanismand such and