半导体白光用ce3+yag晶体光纤荧光材料制备与性能研究.pdfVIP

摘 要 白光LED具有高效节能、绿色环保、没有污染、寿命长等优点，有望取代荧光 灯和白炽灯。白光LED有多种实现方法，由于操作简单及蓝光转化效率高，采用 lnGaN LED芯片涂上发黄光的ce3+：YAG荧光粉已成为白光LED制作的主导方案。 一温度特性进行了测试。 论文对不同掺杂Tb3+浓度白光源用Ce3+：YAG晶体光纤进行了研究。结果表明： Ce3+：YAG晶体光纤最大吸收峰的位置不会随Tb3+掺杂浓度变化发生改变，随着Tb3+ 的浓度增加，荧光光谱发生红移，可以搭配不同波长的蓝光LED。采用晶体场理论 和位形坐标两种理论对此现象进行了解释。 论文针对市售白光LED普遍存在红光成分偏少问题，通过在Ce3+：YAG晶体光 给Eu3+或者通过Tb子晶格将能量传递给激活剂Eu3+。其发光机制用能级图给予解 近白光的标准(O．333，0．333)。 现光谱上有五个荧光峰，其原因与Ce3+敏化作用有关。当Ce”处在5d激发态时， 通过辐射跃迁把一部分能量转移给P，的1D2能级，当其跃迁回3H4时产生610．1nm 的荧光；通过无辐射跃迁把一部分能量传递给P，的3Po能级，当其跃迁回3H4和3H5 有吸收，所以荧光强度相对较弱。掺杂后色坐标为(O．333，0．316)，显色性为90．2， 白光源的品质均有很大的改善。 Ce3+：YAG晶体光纤荧光温度效应测试，发现掺杂后均比未掺杂的晶体材料，荧光衰 减的快，并且掺杂 研究结果表明 源可以得到高效、 通常的荧光粉涂覆 开辟了一种新途径 关键字：白光源， ．． Abstract futuresolidstate souKe tobea candidate笛a lighting are good WhiteLEDexpected of elecm。 becausehighefficiency，low Orfluorescent for心越descentlamps lamps subsd嘶ng andSOon·The time adva柚l诅ge，long-operating currem．eI】viron瑚ent for of枷化 materials LEDabe one。唧e InGaNblue with important combination phosph邮in thanother seVcral for types·Among criticalissues ithaSless applications LED。because emission byCe3+in州啪山m white generated LED，theyellow phosp姗删g