半导体纳米的制备及其在电致发光器件中的应用.pdfVIP

中文摘要 摘要：由于受到量子限域效应的影响，半导体纳米晶展现出独特的物理、化 学特性。同一材料仅靠改变颗粒尺寸就能获得不同颜色的发射光，不同波长的吸 收峰，不同大小的电子亲合势和离化能等特殊性能。近年，半导体纳米晶与有机 聚合物复合体系在发光器件方面的应用成为一个活跃的研究领域。本文在水相中 制备了半导体纳米晶，并对其物理特性进行了较为全面的研究，在此基础上通过 半导体纳米晶与聚合物的复合制备了有机无机复会薄膜电致发光器件。主要内容 如下： 1．采用较为简单并环保的方法在水相中以巯基乙酸作为稳定剂，以硒粉和醋 酸锌为前驱物合成了znse纳米晶。用x射线粉末衍射(xRD)、x射线光电子能 谱(xPs)以及透射电子显微镜(1EM)对其进行了表征。同时研究了不同制备 条件对znSe纳米晶发光特性的影响：激子发光峰随回流时间和pH的改变移动； 稳定剂可控制激子发光与缺陷发光的比例。并且以znse为核芯在其表面包裹了 zns壳层。制备了znSe／znS核壳结构纳米晶。利用光致发光光谱和吸收光谱测试 了它们的发光和吸收特性，结果表明核壳结构的纳米晶的发光强度有所提高，表 面包覆起到了明显的钝化作用。 2．用表面活性剂将znSe纳米晶和znse／znS核壳纳米晶从水相中转移到有机 相中，使其与聚合物材料MEH．PPv有效的复合，将其作为发光层制备了纳米复合 电致发光器件。研究了不同质最配比和不同驱动电压对器件的电致发光特性的影 响。并对复合薄膜在光激发和电场激发条件下的不同发光机制进行了讨论。通过 对器件的光电特性的研究，发现znse纳米晶的发光随着外加电压的增强而增强， 而且器件的I—v特性基本上符合整流的特性。 3．将掺杂znsc纳米晶的PVK薄膜做空穴传输层制作有机电致发光器件。研 究改变掺杂量对器件发光性质的影响，发现适量掺杂纳米晶可降低注入势垒，提 高聚合物的载流子迁移率，使得掺杂纳米晶的发光器件有更高的发光亮度和较低 的起亮电压。 关键词：半导体纳米晶；znse；发光；电致发光 分类号；0472+．3；O哆82+．1；TN383十．1 ABSTRACT ABSTRACT．Dueto confinemem e伍∞乞辩miconductor qu锄tIlm n舳ocrystals which than a佗smallerthebulkexcitondi锄eteI。cxhibit andchemical specialphysical emission amnities锄dionizati∞ properties．Di虢rcntcolor曲sorptionpeal【s，elec仃on c孤beobtained疔omthe湖em础rial size potentiaIs justby 0ntheuse incomb．mationwim materials repons ofsemiconductoI‘n柚ocrys诅lspolymer intlle a attmctcdwideattenti∞．Inthis applicationlightemittingdiodes(LEDs)have semiconductor wc化 iil 锄d thesis， n锄ocrys协ls ∞Iuti∞， syntIIesizcdaqucous elec廿oluminescencedevices thinfilm鼬tIIe