含杂质量子在太赫兹电磁场辐照下的电子输运性质.pdfVIP

摘要 量子线(纳米线)等介观系统中的电子输运一直是人们非常关心的问 题，它不仅是一个重要的基础物理问题，而且有着潜在的应用前景．量子 线等介观体系将是今后纳米量子电路的重要物理器件．对量子线系统而 言，杂质的存在是不可避免的，并会影响量子线的输运性质，对所制造的 纳米器件的品质也会有一定的影响，所以人们对含杂质量子线的输运性 质的研究产生了很大的兴趣．本文采用有效质量近似自由电子模型，用 化太赫兹电磁场辐照下的电子输运性质，得到了一些有意义的新结果． 全文共分为四章．第一章简要介绍了AI。Ga，一。As／GaAs半导体异质结 二维电子气系统及其形成的量子线、介观输运有关的基本理论及其发展 历史和散射矩阵方法．第二章用含时模式匹配方法研究了含杂质直量子 线在太赫兹电磁波部分辐照下的电子输运性质．研究结果表明：当外场 频率与量子线横向能级间隔匹配时(即共振情况)，透射率呈现出一个反 常的台阶结构；在非共振情况，当外场频率和电场强度取适当的值时， 透射率出现一个有趣的dip结构，此时辐照区和非辐照区的第二个模式 同时成为传播模式，即新的通道打开之前，有一个准束缚态与dip相对 应；由于前进波和后退波的相干叠加，透射率出现Breit-Wigner共振． 第三章在第二章工作的基础上，具体分析了外场参量以及杂质势参 量对输运性质的影响．理论计算结果表明，外场频率u和强度s都通过 对辐照区的含时模式进行调制来影响系统的电子透射率．当外场频率和 强度取适当值时，透射率不仅会出现反常的台阶结构，而且出现有趣的 dip结构以及多个Fano共振结构．文中对这些现象的特点和形成机制进 行了详细的分析．同时发现杂质势的长度只会影响电子波函数的相干叠 加，而不改变透射率．但是，杂质势的宽度和势强度则通过调制辐照区 内的两个含时模式来影响整个系统的透射率． 第四章我们对本文的工作进行了简要的总结，并对这一研究领域的 发展前景作了简要的展望． 关键词：A1；Gal一。As／GaAs量子线；吸引杂质；THz电磁场；介观瞬态 输运；台阶结构；Fano共振；Breit-Wigner共振 ABSTRACT been The ofelectronic of wirehave stud— quantum intensively properties transport led．These arenot basic of hutalsohave problemsph3，sics propertiesonlysignificant the a8 in future．The wire，will quantum potentialapplication mesoscopicsystem，such be ofthe nanocircuitAs or parts quantum impurities，intentionalnot， veryimportant Theexistence to theirinfluence isof interest areunavoidable，it pa