含超常材料维光子晶体的电磁波传输特性.pdfVIP

禽超常耢瓣一维光了晶体的电磁波传输特瞧 中文摘要 中文摘要 天然材料不一样的电磁性质，通过特殊的微结构设计，超常材料可以具备负的介电 常数或者负的磁导率，甚至能做到两者皆为负值。当材料的介电常数和磁导率中有 一个为负值时，我们称这样的材料为单负材料。单负材料又可分为两种：若磁导率 为负值，介电常数为正值，此单负材料称为磁负材料；反之，若介电常数为负值， 磁导率为正值，则此单负材料称为电负材料。近几年来由于单负材料自身的一些特 殊性质，它们受到了越来越多的关注。 本文重点研究了由单负材料组成的一维光子晶体的光学与电磁波传输特性以及 线性与非线性的古斯．汉欣位移。文章主要内容为： 一、含单负材料的一维光子晶体的缺陷模特性 我们首先利用传输矩阵方法研究了由单负材料构成的一维光子晶体中包含缺陷 时的电磁波传输性质。指出了在零有效相移光子禁带中，缺陷模的数量可以通过调节 缺陷层本身的厚度或者层数来控制。数值结果还表明，在该带隙中的缺陷模基本不受 入射光角度和极化模式的影响，并且对光子晶体自身结构尺度和无序效应也表现出弱 敏感性。最后，我们推广有效媒质理论来对体系进行简化，从而得到了缺陷模频率的 近似计算公式。利用该公式，我们可以很好的给出缺陷模出现的频率位置。 二、含单负材料一维光子晶体的古斯一汉欣效应 我们研究由单负材料构成的光子晶体中的吉斯～汉欣位移。发现在零有效相移带 隙中，固定两种材料的厚度比时，改变入射光极化模式，可以得到可爱可负的吉赣一 汉欣位移，而固定入射光的极化模式时，改变两材料厚度比也可以使吉斯一汉欣位移 由一个方向转变的另一个方向。同时我们还发现当材料的厚度比或者周期数达到一个 临界点时，吉斯一汉欣位移的大小将保持慷定不变。根据这个特性，我们结合有效媒 质理论定性的讨论了产生古薪一汉欣位移正负转变的原因。羧后，我们研究了在单受 嬲期性结构审嵌入正常材料缺陷鼷时的古斯一汉欣位移，发现在缺陷模频率附近，吉 斯一汉砍位移可以德到大幅度豹增强，并且随着入射焦的增大，古斯～汉欣位移的幅 含超常材科一维竞了：晶体的电磁波传输特佼 中文摘要 度会增加但是突变处的频率位置基本保持不变。 三、含非线性缺陷的单负一维光子晶体的古斯．汉欣效应 我们主要研究了在由单负材料组成的一维光子晶体中嵌入非线性材料缺陷时的 古斯一汉欣效应。我们发现，在零有效相移带隙和布拉格带隙的缺陷模频率附近，体 系的古斯一汉欣位移同透射谱一样都展现出双稳特性。在零有效相移带隙中，当入射 波分别为横电波(TE)和横磁波(TM)时，可表现出正和负的双稳变化。且在不同 入射角时，古斯一汉欣位移的峰值位鬣比较稳定。而在布拉格带隙中，没有正负的变 换并且古斯．汉欣的峰值受角度变化的影响比较大。随后，我们进一步研究了相位同 入射角之间的关系，发现在不同的入射光强下，同角度的相位会在阈值附近出现跃迁 变化，而在其他位置的变化相对比较平稳。同时，TE极化模式的古斯一汉欣位移随 角度变化的影响比较小，而TM模式下的古斯一汉欣位移在两个阈值附近变化比较明 显。 关键词：单负材料，光予晶体，传输矩阵，有效媒质理论，缺陷模，古斯一汉欣位移， 双稳特性。 作 者： 唐灵 指导教师：高雷 方建兴 Il 禽超常材料一维光予品律的电磁波传输特住 英文摘要 Abstract MetamatefialiSanewkindofartificialmaterialwhichiS studied widely bymany