辐射加固的JFETSOS工艺及γ辐射效应.pdfVIP

　第 20 卷第 8 期 半　导　体　学　报 . 20, . 8 V o l N o 　1999 年 8 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug. , 1999 辐射加固的 : 工艺及 辐射效应 JFET SO S 聂纪平　刘忠立　和致经　于　芳　李国花　张永刚 ( 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　本文研究了制作 ( ) JFET SO S 蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管 的方法, 采用扩散形成 栅极p + n 浅结以及复合注入的方法形成导电沟道, 在不同的工艺条件下可得到增强型和耗尽型 器件. 通过 60 源的 射线辐射实验发现这种器件具有良好的抗总剂量辐射性能, 在 5 ( ) Co M rad Si 剂量时阈值电压的变化小于 0 1 , 跨导以及漏电流的变化都很小. V : 2550, 2560 , 2570 EEACC S D 1　引言 器件具有优良的抗瞬态及单粒子翻转辐射特性, 经过适当加固其抗总剂量 M O S SO S ( ( ) [ 1 ] ) 电离辐射能力也可达到较高水平 1 以上 . 由于 器件的栅极下存在一个 M rad SiO 2 M O S 绝缘 SiO 2 层和 SiO 2 Si 界面, 电离辐射后将产生感生空穴陷阱电荷及增加的界面态, 它们使 M O S 器件进一步提高抗总剂量电离辐射能力产生困难. 一个改进的方法是采用 JFET SO S, 由于JFET 的栅输入用pn 结代替了 SiO 2 介质, 消除了 SiO 2 Si 结构固有的辐射感生 电荷及界面态问题, 预计它应该有很高的抗总剂量电离辐射能力. [ 2 ] 这方面的工作 70 年代就有文献报道 , 但结果并不理想, 主要原因在于 SO S 材料的硅 和蓝宝石界面上的缺陷也会造成界面陷阱电荷, 从而影响器件性能. 80 年代有报道研制成 功了抗高总剂量辐射 (绝缘体上硅结型场效应晶体管) [ 3, 4 ] , 其抗总剂量水平达到 JFET SO I 108 rad (Si) , 但这种器件采用 01m 的 SiO 2 膜 SO I 材料, 利用衬底硅上加偏压的方法抵消 空穴陷阱, 获得高的抗辐射性能. 方面的工作也有报道[ 5～ 7 ] , 但在抗总剂量辐射 JFET SO S 方面没有很大进展. 近年来由于在 材料及 器件方面的进展, 使我们有条件对于抗高总剂 SO S CM O S SO S 量电离辐射 进行进一步的研究. 本文主要介绍了