fft-dts测试系统的研制与金属硅化物电学性质的研究.pdfVIP

叩《I8≤23 题目：FFT—DLTS测试系统的研制与金属硅化物电学性质的研究 关键词：快速博立叶变换，深能级瞬态谱，迭代法，金属硅化物，快速热退火 摘要 建立了计算机控制的快速傅立叶深能级瞬态谱测试系统，对该方法所存在 ， 的问题进行了研究，并提出了新的方法。佣该系统首次对金属硅化物在硅中引 ＼ 进的缺陷进行r测试，结合其它的电学特性测试结果，给出了NiSi．／Si反向漏 电流大的主要原因o＼j 相对于传统深能级瞬态谱(DLTS、方法，快速傅立叶变换深能级瞬态谱 法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用。本论 文论证了该误差产生的原因并提出用迭代法来解多能级的傅立叶系数谱的方 法，从而不仅有效的解决了传统FFT—DLTS方法所存在的问题，而且能级分辨 率又有显著提高。 用离子束溅射及快速热退火方法制得金属硅化物，但该工艺有可能在硅中 引入新的缺陷，通过对金属硅化物所形成的肖特基势垒结构进行C—V、I-V、以 及FFT—DLTS的测试与分析，可得出这些深能级缺陷是形成反向漏电流大的主 嘤原闭。 分类号：0472斗．5 andelectronic ofSilicide Title：FFT-DLTS properties system Fourier leveltransient Keywords：FFT(fasttransform)，DLTS(deep temperatureannealing) system)，iterative，Silicide，RTA(rapid Abstract level Inthis fastFouriertransform transient work，the deep measurecontrolled wasfabricated．The spectroscopysystem bycomputer troubleofnewmetlmdwas andinordertoresovle new investigated it，a methedwas ofSi silicideismeasured proposed．Thetrap importedby by the otherelectronic mainreasonof systemCompining properties，the the of werealso leakageNiSi2／Si given． ThefastFouriertransformlevel-transient deep hasthe of and resolution． DLTS)method