ge-silt;,2gt;薄膜的光致发光和电致发光及其机理研究.pdfVIP

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2015-10-26 发布于贵州
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ge-silt;,2gt;薄膜的光致发光和电致发光及其机理研究.pdf

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ge-si

摘要论了可能的发光机理。采用射频磁控溅射技术制备了Ge—SiO：薄膜，随后在N：中进 t ， ’i 纳米晶粒的平均尺寸从3．9nm增至6．1nm。测量了薄膜的PL谱和PLE谱。在紫外光的激发下，所有的薄膜样品都发出很强的紫光，峰位在394nm。随着Ge纳米晶粒的出现，样品有580nm的黄光发出，其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强。分析表明，紫光来源于薄膜中的GeO缺陷；黄光则来自于Ge纳米晶粒与SiO，基质界面处的发光中心。 | 时都发出肉眼可见的EL，峰位均在510nm处；在反向偏压下，没有光发出。而向偏压下则检测不到EL。所得到的EL稳定，可重复。分析结果表明，对于只在正的：而对于Au／Ge-SiO：／n-Si结构，载流子的产生则是过热电子碰撞电离的结果。尽管它们的激发方式有所不同，但是载流子的复合过程却是类似的，主要通过SiO，基质中的发光中心复合发光。百 f 关键词Ge—SiO，薄膜射频磁控溅射光致发光电致发光发光机理 Abstract InthiS of dissertation，the properties andmechanismsof fiims electr01uminescence(EL)fromGe—SiO，thin 1ight have were on emiSSionbeenstudied．Ge—Si0。thinfilms Si deposited substratesradio Witha by frequency sputteringtechnique magnetron Ge—Si02 te wereannealedin for30minatdifferent target．Films N。ambience composi t microstuctureoffiims werecharacterized temperature．The byseveral as andSOon．When analysiStechniques，suchXR