gesi单子环和单量子点的组分分布及其电学性质研究.pdfVIP

目录 l(1llllUlillUlllllillIltlllltltlllllIIII— Y2701796’ 6．1引言…………………………………………………………………………29 6．2样品准备与测试……………………………………………………………29 6．3不同温度下的GeSi量子点的组分分布…………………………………·30 6．4小结…………………………………………………………………………………………………34 第七章 总结与展望………………………………………………………………36 参考文献……………………………………………………………………………38 发表文章……………………………………………………………………………40 会议报告……………………………………………………………………………·40 致{射……………………………………………………………………………………………………．．41 万方数据 摘要 GeSi单量子环和单量子点的组分分布及其电学性质研究 学生姓名：旦—塑 指导教师：拯堑蕴副熬援 摘要 GeSi量子点和量子环因其潜在的应用前景而引起了人们浓厚的研究兴趣。扫 描探针显微镜(SPM)因其能够表征纳米尺度的物理性质而被开始用于这类单量 子结构的研究。本论文采用了SPM的多种实验手段研究了GeSi单量子环的组分 分布及其电学性质和GeSi单量子点的组分分布及其对生长温度的依赖关系。 首先，我们利用原子力显微镜(AFM)的原位定位技术结合选择性化学腐蚀的方 法研究GeSi单量子环的组分分布。通过考虑浸润层的腐蚀高度，并对多个相同 量子环的形貌变化进行原位观察分析，比较准确地得到了GeSi单量子环的组分 分布。同时利用导电原子力显微镜(CAFM)研究了GeSi单量子环在腐蚀前后各 个阶段的导电特性，发现不同组分的量子环始终是环形的电流分布，即量子环环 形区域的导电性高于其他区域。因此我们提出了一个新的量子环导电机制，即 GeSi量子环的导电分布与其形貌有关，与量子环组分分布关系不大。 其次，我们利用扫描开尔文显微镜(SKM)和扫描电容显微镜(SCM)研究 了GeSi单量子环的表面电势分布和载流子浓度分布。SKM的结果表明环形区域 的功函数大于其它区域，因而其与针尖形成的界面势垒高度低于其它区域，这与 CAFM的结果是相符合的。而SCM的结果也表明量子环的环形区域的载流子浓 SKM和SCM结果，揭示了量子环的微结构对其电学性质的影响。 另外，我们还利用AFM的原位定位技术结合选择性化学腐蚀方法得到了在 640。C和680。C这两种不同温度下生长的量子点的组分分布。结果发现在640。C 下生长的量子点的组分分布是对称的，而680。C下生长的样品其金字塔形量子 点的组分分布对称而穹形量子点的组分分布不对称。 关键字：锗硅量子点，锗硅量子环，AFM，CAFM，SKM，SCM 中图分类号：0469，0472+．1，0472+．4 万方数据 Abstract suchas Lowdimensionalself-assembledsemiconductorstructures quantum receivedinterestsinrecent quantumdots(QDs)andrings(QRs)havegreat