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Y互2 63．1 3 论文题目=Gesi低维材料的生长和结构表征 物堡系 燧塞查塑理专业 学生姓名监住苤 指导教师蓥量筮 职称熬握 摘要 本文的研究内容分为以下三个方面： 1．利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质外延Ge层由于扩 散引起的Ge／Si异质结界面互混以及表面活化剂sb对其的影响。(结果表明表面 活化剂Sb的存在大大抑制了界面的互扩散，在650。C下也没有观察到明显的 界面互混。没有sb时，在5000C。V己存在一定程度的界面互混，界面互混程 度随外延层生长温度的增高而增强。这种互扩散的差别与成岛生长时应变释放 、 ，一 有关。 J1-6 ／ 2．量子点的生长技术。通过实验对量子点的最佳生长条件进行了摸索。利 用两步法制备出尺寸小，均匀性较好，密度高的量子点。f量子点的横向尺寸约 ＼√一 为30nm，纵向尺寸达到2-3rim，密度达到4X109am-2。卜—石7 3．研究了硅衬底上外延的锗量子点的组分和应变。我们在北京同步辐射实 验室对样品进行了掠入射X射线衍射测量，测出了锗量子点横向和纵向的晶格 ， 常数。f在平行于硅衬底表面和垂直于硅衬底表面的方向，量子点的晶格常数相 ＼ 对于硅的晶格常数分别有1_2％和3．1％的晶格膨胀。由此推断出量子点为50％应 变弛豫的锗组分为55％的合金量子点。在掠入射x射线衍射谱中，首次在Si(220) 的高角端发现一个衍射峰，该衍射峰信号来源于硅衬底中近表面的压应变区域。 量子点的形成在硅衬底中近表面区域引入了压应变并在平行于硅衬底表面的方 向上导致了一0．8％的晶格压缩。)／—石 关键词：量子点，界面互扩散，X射线衍射，应变，分子束外延 分类号：Q9。≯ Abstract the three Inthis studied paper，we followingtopics ofSiandGeatomsandsurfactant’Sinfluence Interdiffusion duringepitaxy Ge on different werestudiedRaman of Si(100)at temperatures by growth layer as the thatSb asurfactantCan resultsshow greatlysuppress spectroscopy．The at interface．WithsurfactantSb．no atomic interdiffusionGe／Si significantintermixing wasobservedevenatthe of without growth 6500C，whereasSb，the temperatur