d0前期过金属氨基化合物的合成及结构表征.pdfVIP

摘要 摘要 纳米时代，发展新型的高介电常数high．k)电介质材料以取代沿用至今的 二氧化硅作为闸极电介质是当前微电子材料领域所面临的最大技术挑战之一。 金属烷氧化合物、硅基化合物和氨基化合物的CVD反应已经用来制备这些材料， 但是，CVD反应过程通常比较复杂，其中的机理到目前还不十分清楚。通过设 计合成一系列可作为CVD源的前期过渡金属烷氧化合物、硅基化合物和氨基化 合物，并在此基础上探索CVD源化合物的组成、结构与形成lligh．k膜材料的关 系，从而为筛选与合成潜在的lligh．k材料提供理论支持。 得到一系列的可作为CVD源的过渡金属氨基化合物，并利用核磁共振，X．ray单 晶衍射等对其进行了表征。 TaCl3[N(SiMe3)2]2(1)与二甲基氨基锂(LiNMe2)进行了核磁研究。 (H3SiPh)和二甲基氨基锂(LiNMe2)进行了核磁研究。 比反应。 关键词：过渡金属；氨基化合物；化学气相沉积：Hi曲-k ABSTRACT ABSTRACT The ofnew is developmenthi班dielectric ofthe technical usedto silicondioxideas material，isone replace gate biggest materialsinthenanoera．TheCVD inthefieldofmicroelectronic challenges reactionsofmetal andamides havebeenusedfor alkoxides，silicides complexes ofthese molecular ofCVDreactions materials．However,the preparation pathways arestillnotclearsincethe ofCVDreactionis and process complicated．Designing metal andamides whichCanbe thetransiton preparing alkoxides，silicidescomplexes of and usedasCVD thestudiesofthe the precursors，and relationshipcomposition of filmmaterials oftransitionmetal andformation thestructure complexes high—k will theoreticalfor and of